Директор ИПТМ РАН (1989-2004 гг.)
Член-корреспондент РАН Виталий Васильевич Аристов |
---|
ИПТМ РАН формировался в трудные годы перестройки - годы спада интереса государства к постановке новых научных
исследований. В это время развитие науки шло, по существу, только по инерции. В этих условиях огромная роль в
развитии Института принадлежала директору ИПТМ РАН член-корр. РАН В. В. Аристову.
Структура научных подразделений института регулярно изменялась и совершенствовалась:
расформировывались одни и возникали новые группы и лаборатории. В настоящее время она соответствует основным направлениям
научной деятельности ИПТМ РАН.
Коллектив ИПТМ РАН развивает фундаментальные и перспективные прикладные исследования, а также
разрабатывает технологические процессы и научнотехнологическое оборудование. Среди широкого спектра задач, решаемых
учеными ИПТМ РАН, можно выделить основные темы исследовательских работ:
Директор ИПТМ РАН (2004 г. - н/вр)
Профессор, доктор физико-математических наук Вячеслав Александрович Тулин |
---|
- Физические принципы создания элементной базы наноэлектроники, элементной базы
квантовых компьютеров
(руководитель - д.ф.-м.н. Тулин В.А.).
- Разработка основ материаловедения и технологии элементной базы микросистемной техники,
включая наноэлектронику, наноионику и нанооптику. Развитие технологий получения и анализа материалов электронной техники
(руководитель - чл.-корр. РАН Аристов В.В.).
- Физические основы и технология формирования приборных структур микро- и
наноэлектроники с помощью атомных, ионных и молекулярных пучков
(руководитель - д.ф.-м.н. Вяткин А.Ф.).
- Исследование физических основ и разработка технологии элементной базы СВЧ электроники
(руководитель - к.т..н. Шаповал С.Ю.).
Аналитико-сертификационный центр ИПТМ РАН
На базе пяти аналитических лабораторий в 1993 г. создан аналитико-сертификационный центр, разрабатывающий новые методы
анализа высокочистых веществ, объектов окружающей среды, технологических сред и материалов (используемых в технологии
микроэлектроники), биологических и пищевых продуктов сталей и сплавов, полу- и сверхпроводников сложного состава с
использованием атомно- и масс-спектроскопических, ядерно-физических методов анализа.
В Институте работает специализированный ученый совет по защите докторских и кандидатских диссертаций Д 002.081.01
по специальностям 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на
квантовых эффектах (физико-математические науки) и 05.27.06 - технология оборудования для производства полупроводниковых
материалов, материалов и приборов электронной техники (химические науки).
Для подготовки высококвалифицированных научных кадров при ИПТМ РАН создана аспирантура и организованы
филиал кафедры физического материаловедения Московского института стали и сплавов (МИСиС), совместная с Московским
физико-техническим институтом (МИФИ) кафедра электроники и Научно- учебный Центр ИПТМ - ФТИАН - МГУ им. М. В. Ломоносова.
Институт является организатором регулярных Российских симпозиумов по растровой электронной
микроскопии и Российских конференций по электронной микроскопии.