Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  

 УСТАВ | ПЛАНЫ | ОТЧЕТЫ | ИСТОРИЯ | СЕГОДНЯ | В ЦИФРАХ 

ИПТМ РАН СЕГОДНЯ





слово,
как прописано:



Аристов В.В.
Директор ИПТМ РАН
(1989-2004 гг.)
Член-корреспондент РАН
Виталий Васильевич Аристов

ИПТМ РАН формировался в трудные годы перестройки - годы спада интереса государства к постановке новых научных исследований. В это время развитие науки шло, по существу, только по инерции. В этих условиях огромная роль в развитии Института принадлежала директору ИПТМ РАН член-корр. РАН В. В. Аристову.

Структура научных подразделений института регулярно изменялась и совершенствовалась: расформировывались одни и возникали новые группы и лаборатории. В настоящее время она соответствует основным направлениям научной деятельности ИПТМ РАН.

Коллектив ИПТМ РАН развивает фундаментальные и перспективные прикладные исследования, а также разрабатывает технологические процессы и научнотехнологическое оборудование. Среди широкого спектра задач, решаемых учеными ИПТМ РАН, можно выделить основные темы исследовательских работ:
Тулин В.А.
Директор ИПТМ РАН
(2004 г. - н/вр)
Профессор, доктор физико-математических наук
Вячеслав Александрович Тулин

  1. Физические принципы создания элементной базы наноэлектроники, элементной базы квантовых компьютеров
    (руководитель - д.ф.-м.н. Тулин В.А.).
  2. Разработка основ материаловедения и технологии элементной базы микросистемной техники, включая наноэлектронику, наноионику и нанооптику. Развитие технологий получения и анализа материалов электронной техники
    (руководитель - чл.-корр. РАН Аристов В.В.).
  3. Физические основы и технология формирования приборных структур микро- и наноэлектроники с помощью атомных, ионных и молекулярных пучков
    (руководитель - д.ф.-м.н. Вяткин А.Ф.).
  4. Исследование физических основ и разработка технологии элементной базы СВЧ электроники
    (руководитель - к.т..н. Шаповал С.Ю.).

Аналитико-сертификационный центр ИПТМ РАН

На базе пяти аналитических лабораторий в 1993 г. создан аналитико-сертификационный центр, разрабатывающий новые методы анализа высокочистых веществ, объектов окружающей среды, технологических сред и материалов (используемых в технологии микроэлектроники), биологических и пищевых продуктов сталей и сплавов, полу- и сверхпроводников сложного состава с использованием атомно- и масс-спектроскопических, ядерно-физических методов анализа.

В Институте работает специализированный ученый совет по защите докторских и кандидатских диссертаций Д 002.081.01 по специальностям 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (физико-математические науки) и 05.27.06 - технология оборудования для производства полупроводниковых материалов, материалов и приборов электронной техники (химические науки).

Для подготовки высококвалифицированных научных кадров при ИПТМ РАН создана аспирантура и организованы филиал кафедры физического материаловедения Московского института стали и сплавов (МИСиС), совместная с Московским физико-техническим институтом (МИФИ) кафедра электроники и Научно- учебный Центр ИПТМ - ФТИАН - МГУ им. М. В. Ломоносова.

Институт является организатором регулярных Российских симпозиумов по растровой электронной микроскопии и Российских конференций по электронной микроскопии.