Номер госрегистрации: 01.0.40 000355
руководитель - к.т.н. Шаповал С.Ю.
Работы по этому направлению охватывают широкий спектр поисковых и прикладных исследований в области технологии микроэлектроники и
микросистемной техники:
физика сверхвысокочастотной плазмы в условиях электронного циклотронного резонанса и ее применение в технологии
наноэлектроники (совместно с ЭЗНП РАН) для прецизионного травления, осаждения тонких слоев и эпитаксии,
включая разработку и изготовление промышленного ЭЦР-плазменного оборудования наноэлектроники;
исследование физических основ приборов и интегральных схем на основе широкозонных полупроводниковых материалов;
технология и конструкция датчиков физических параметров как одиночных, так и в матричном исполнении;
разработке новых принципов прецизионного перемещения по гладким поверхностям.
Разработана конструкция и лабораторная технология однозатворных транзисторных структур с Т-образными
суб-100 нм затворами на основе нелегированных структур AlGaN/GaN с двумерным электронным газом.
Получены первые образцы транзисторных структур нелегированных AlGaN/GaN HEMT.
