ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ, ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ КВАНТОВЫХ КОМПЬЮТЕРОВ

Исследуются в первую очередь электрические и оптические свойства структур нанометровых размеров, создаваемых на основе технологических разработок ИПТМ РАН.

В ИПТМ РАН впервые начаты исследования транспортных свойств металлических наноструктур сложной топологии, что открыло перспективы создания новых активных элементов микроэлектроники. Перспективные результаты получены в области наноконтактов и нанопроводников, примыкающих по своим размерам к молекулярным системам. Разработана технология изготовления металлических наномостиков и приготовления образцов для исследования транспортных свойств индивидуальных углеродных нанотрубок и биомолекул.

Широкое развитие получила магнитотуннельная спектроскопия полупроводниковых низкоразмерных квантовых систем на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs. Впервые было получено пространственное распределение плотности вероятности волновой функции электронов в InAs квантовых точках (лаб. к.ф.-м.н. Ю. В. Дубровского).

В ИПТМ РАН впервые были получены монокристаллические пленки графита, толщиной вплоть до моноатомных. Таким образом, экспериментально реализован новый двумерный объект - графен (планарный моноатомный лист графита). Наблюдаемые свойства полученных графитовых структур позволяют надеяться, что они могут использоваться как металлический полевой транзистор нанометровых размеров.

Используя богатый опыт изготовления и исследования физических свойств мик-ро и наноструктур, в ИПТМ РАН начаты работы по разработке элементной базы квантовых компьютеров.