|
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН) был создан в 1983.
Практически 100% штата научных сотрудников института составляют выпускники базовых кафедр Московского
Физико-Технического Института (Кафедра физики и технологии наноэлектроники, Факультет физической и квантовой
электроники, МФТИ), Московского Государственного Института Стали и Сплавов (Кафедра физического
материаловедения, Физико-химический факультет, МИСиС) и Московского Государственного Университета им. М.В.
Ломоносова (Кафедра физической электроники, Физический факультет, МГУ).
Большинство научных сотрудников института прошли школу интегрированных образовательных структур (ИОС): с
3-го курса обучения на базовых кафедрах студенты выполняли в научных лабораториях ИПТМ РАН курсовые научно-
исследовательские работы; на 5-6-х курсах студенты выполняли в институте дипломные работы; после окончания
высших учебных заведений, хорошо зарекомендовавшие себя студенты приглашались для прохождения 2-х годичной
стажировки, после которой поступали в аспирантуру при ИПТМ РАН; после окончания аспирантуры и защиты
диссертации кандидата наук, большинство молодых людей поступало на постоянную работу в ИПТМ РАН.
По возрастному критерию ИПТМ РАН является одной из самых молодых организаций Российской Академии Наук:
средний возраст научных сотрудников составляет 48 лет. Данный критерий достигается тем, что в ИПТМ в настоящее
время существует ИОС и штат научных сотрудников ежегодно пополняется выпускниками базовых кафедр МФТИ, МИСиС и МГУ.
На базе ИПТМ РАН создана и успешно функционирует Кафедра физики и технологии наноэлектроники ФФКЭ МФТИ, филиал Кафедры физического
материаловедения Физико-химического факультета МИСиС:
- научными сотрудниками ИПТМ РАН, чьи работы являются наиболее авторитетными и представлены в ведущих научных
изданиях и на научных форумах международного уровня, разработаны и усовершенствованы базовые учебные курсы
лекций и практикумов: "Введение в наноэлектронику", "Спектральные методы в полупроводниках", "Электронный
транспорт в наноструктурах", "Технология наноструктур", "Дефекты в полупроводниках", "Радиационная обработка
поверхности" (Взаимодействие лазерных, электронных и ионных пучков с поверхностью твердых тел), "Физика
поверхности" (Элементарные возбуждения на поверхности твердого тела), "Анализ поверхности", "Рентгеновская
оптика", "Микрофотоника", которые используются при подготовке студентов и аспирантов в области квантовой
электроники, физики и технологии наноэлектроники, нелинейной оптики, оптоэлектроники, полупроводниковой
сверхвысокочастотной техники, стажировке и повышении квалификации специалистов в области физических основ
полупроводниковой техники терагерцового диапазона частот;
- для помощи в выборе базовой кафедры в ИПТМ РАН ежегодно проводится ознакомительная практика
студентов третьего курса МФТИ, студентов МИСиС и МГУ;
- студенты, аспиранты и молодые научные сотрудники регулярно принимают участие в научной молодежной
конференции МФТИ, которая помогает выявить молодой научный потенциал ИПТМ РАН и позволяет познакомить с
новейшими результатами научных исследований, проводимых в институте. Результаты совместных со студентами и
аспирантами научных исследований в лабораториях ИПТМ РАН находятся на переднем крае развития мировой науки.
Основные научные направления ИПТМ РАН, по которым ведутся исследования с привлечением молодежи:
- Субмикронные технологические процессы и оборудование микроэлектроники, перспективные технологические
процессы на основе эффектов в плазме, электронно-ионных и фотонных пучках,
- Интегрированные технологические процессы для многофункциональных кластерных систем нового поколения,
- Новые диагностические методы и оборудование для метрологии, анализа компонентов и микроструктур в технологии
микро- и наноэлектроники,
- Перспективная элементная база микроэлектроники,
- Приборы и технологические процессы наноэлектроники,
- Моделирование приборов, технологических процессов и оборудования.
Привлечение студентов, аспирантов и молодых ученых к участию в проводимой ИПТМ РАН
научно-исследовательской работе включает в себя подготовку совместных докладов для участия в школах,
конференциях и совещаниях, а также в работе по программам отечественных (РФФИ, Министерство образования и науки
РФ) и зарубежных проектов (INTAS, CRDF, NATO, CNRS).
Студенты, аспиранты и молодые ученые ИПТМ РАН ежегодно являются участниками престижных конференций:
- International Symposium "Nanostructures: physics and technology",
- Российской конференции по физике полупроводников,
- International Conference "Mesoscopic and strongly correlated electron systems",
- International conference on high-magnetic fields in semiconductor physics,
- Всероссийского совещания по физике низких температур,
- Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике,
- Всероссийской научно-технической конференции "Микро- и наноэлектроника",
- Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging,
- Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов,
- International Synchrotron Radiation Conference.
Проведение молодежных конференций и школ позволяет молодым ученым получить багаж знаний,
необходимых для успешной научной работы, познакомиться с новыми результатами, полученными в других научных
коллективах и центрах. |
