Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  

 ПЛАН НИР | ПЛАН ФХД 

ПЛАН НИР ИПТМ РАН НА 2016-2018 ГОДЫ





слово,
как прописано:
1. Наименование государственной работы - Выполнение фундаментальных научных исследований
2. Характеристика работы
Пункт программы ФНИ государственных академий наук на 2013-2020 годы и наименование направления исследований Содержание работы Объём финансирования, тыс. руб. Планируемый результат выполнения работы, подразделение научного учреждения РАН и руководитель работы
201620172018
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.
43. Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника.

"40,43.2. Развитие элементной базы информационных систем на основе фундаментальных исследований новых свойств материалов и наногетероструктур, в том числе с элементами пониженной размерности." (N0070-2014-0002)
Повышение внешней квантовой эффективности светоизлучающих структур.
Теоретическое исследование возможного увеличения сверхпроводящей щели в неоднородном квазидвумерном сверхпроводнике на основе предлагаемой наноструктурной модели сверхпроводящего состояния.
Исследование электронных транспортных свойств графеновых пленок и других квазидвумерных материалов.
Кинетические электронные явления, межчастичные взаимодействия и фотоэлектрические процессы в полупроводниковых наноструктурах.
Исследования наноструктурирован-ных материалов, наноразмерных объектов и структур, выявление корреляции структуры и свойств с применением методов просвечивающей электронной микроскопии.
Изучение электромагнитных свойств объектов пониженной размерности.
Изучение особенностей роста и физических свойств эпитаксиальных слоев разбавленных магнитных полупроводников с напряжениями сжатия и растяжения. Исследования нано-сквидов с повышенной чувствительностью (близкой к одному магнетону Бора), новых сверхпроводящих интерферометров, сверхпроводящих резонаторов с ультранизкими потерями в области около однофотонных мощностей. Анализ обоснованности существующего квантово-механического описания кольцевых сверхпроводящих структур микронного и субмикронного размеров.
Создание и развитие электронной базы данных с переменным форматом и возможностью веб-доступа, содержащей сведения о научных публикациях сотрудников ИПТМ РАН с 1984 по 2016 гг.
29 142.0020 662.00- Лаб. N 2, 4, 6, 18, 20, 21, 22

Будут изготовлены лабораторные образцы резонансных дифракционных решеток с субволновым периодом. Будет выяснено, пригодна ли предложенная наноструктурная модель сверхпроводящего состояния для описания свойств ВТСП и неоднородных тонких сверхпроводящих пленок.
Будут исследованы магнитотранспортные свойства многослойных структур на основе графена и других двумерных материалов. Изучены свойства фононной подсистемы двумерных кристаллов и ее влияние на электронные транспортные свойства.
Будут изготовлены прототипы транзисторных структур на основе квазидвумерных кристаллических пленок и изучены возможности их использования.
Будут исследованы магнитотуннельные эффекты и фотоэлектрические процессы в AlGaAs наногетеросистемах с InAs квантовыми точками и в системах InP-квантовая проволока/InAsP-квантовая точка и выявлены определяющие механизмы магнитотуннелирования, фотодетектирования и излучения индивидуальных фотонов в них;
определены физические и структурные параметры эффективности фотодетектирования.
Будут получены данные о морфологии и кристаллической структуре металлсодержащих наночастиц с высокой каталитической активностью, магнитных и оптически активных наночастиц (наночастиц благородных металлов, оксидов железа, цинка, титана и редкоземельных элементов) в исходном дисперсном состоянии, внутри полимерных матриц, на поверхности полимерных гранул и графена. Будет установлено влияние контактирующей среды на структуру и свойства наночастиц.
Методом высокоразрешающей электронной микроскопии будут исследованы упорядоченные мезоструктуры, построенные в процессе самоорганизации из нанопроводов или наностержней, для создания сенсорных систем для биологии и медицины на основе функциональных наноструктур.
Будут разработаны сверхпроводниковые детекторы различных электромагнитных величин.
Будут выяснены возможности использования сверхпроводящих структур в качестве элементов квантового компьютера.
Будут созданы электронная базы данных публикаций (e-БДП) сотрудников ИПТМ РАН (за 1984-2016 гг.) с переменным форматом и возможностью веб-доступа без ограничения количества одновременных обращений, прикладная программа обработки данных e-БДП и методическое пособие «Краткое руководство пользователя e-БДП.»
Тулин Вячеслав Александрович
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.
43. Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника.

"40,43.4. Теоретические основы технологии и моделирование изготовления, диагностики и функционирования приборов микро- и наноэлектроники." (N0070-2014-0004)
Развитие структурно-динамического подхода наноионики к описанию процессов быстрого ионного транспорта в новых типах приборов наноэлектроники и микросистемной техники.
Моделирование кристаллической структуры и свойств новых наноматериалов и гетероструктур с быстрым ионным транспортом.
Теоретическое обоснование методов, создание и численная реализация алгоритмов для решения задачи реконструктивной компьютерной томографии в схемах с увеличением.
Разработка эффективных численных алгоритмов для моделирования процессов переноса вещества, тепла и заряда в микро- и наноструктурах.
9 190.006 616.00- Лаб. N1, 2, 21

Развитие теоретической нанометрологии в наноионике для интерпретации данных импедансной спектроскопии, и разработки основ создания зондового прибора для диагностики функциональных гетеропереходов.
Будет осуществлен поиск функций внешних воздействий, нарушающих симметрию решений уравнений структурного-динамического подхода с целью прогнозирования новых явлений и эффектов в наноструктурах с быстрым ионным транспортом.
Будет разработан алгоритм кристаллохимического поиска туннелей быстрого ионного транспорта в твердых электролитах и построены модели функциональных гетеропереходов на их основе.
Будут выполнены расчеты влияния механических напряжений на профиль потенциального рельефа и характеристики гетеропереходов с быстрым ионным транспортом.
Создание программных комплексов для решения задачи реконструктивной компьютерной томографии. Верификация вычислительных и физических моделей. Построение модели формирования наблюдаемых проекций в геометрии конусного пучка при зондировании монохроматическим и белым пучком. Создание алгоритма реконструкции для работы с проекциями при ограниченной области наблюдения в параллельной схеме.
Создание и исследование численных алгоритмов для моделирования процессов переноса вещества, тепла и заряда в микро- и наноструктурах., их компьютерная реализация и верификация с помощью тестовых задач.
Зайцев Сергей Иванович
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.

"40.6. Физические и технологические основы сенсорной наноэлектроники и приборов ТГц диапазона." (N0070-2014-0006)
Разработка технологии изготовления сенсоров ТГц излучения.
Разработка, изготовление и проведение исследований перспективных плазмонных ТГц источников, которые возможно использовать при построении логических интегральных микросхем.
Исследования и разработка технологии трехмерной литографии для изготовления элементов МЭМС, ТГц электроники, активных и пассивных устройств линий передачи.
Создание твердотельных источников света на основе эпитаксиальных гетероструктур с наноразмерными металлическими периодическими структурами в конструкции широкого спектра излучения (более 110 нм ширина спектра на половине максимальной интенсивности) без применения фотолюминесцирующих веществ (люминофоров), работающие в постоянном и импульсном режиме питания. Разработка метода выбора параметров таких металлических периодических структур для получения широкого спектра излучения и наибольшей возможной выходной оптической мощности.
6 092.004 332.00- лаб. N7

Будут созданы образцы сенсоров ТГц излучения с откликом не менее 1000 В/Вт в диапазоне частот 0,5-5 ТГц.
Будет разработана методика диагностики плазмы крови больных хроническим панкреатитом, обеспечивающая идентификацию псевдокист, кальцинатов или фиброза.
Будет изготовлена установка ЭЦР-плазменной эпитаксии широкозонных полупроводников.
Будут разработаны конструкции различных вариантов плазмонных ТГц детекторов и маршруты их изготовления по технологии, совместимой с изготовлением полевого транзистора с высокой подвижностью электронов.
Образцами будут микросхемы с транзисторными структурами на основе арсенида галлия и широкозонных гетероструктур, представляющие собой двумерные массивы нанотранзисторов с короткопериодной металлизацией (период составит порядка 5-10 мкм) и несимметричным Т-образным затвором. Для увеличения чувствительности возможно построение трехмерных антенных/фокусирующих структур на плоскости металлизации за счет использования техники трехмерной литографии.
Будет разработана теория распространения ТГц электромагнитных волн в многослойных структурах с сильно поглощающим средним слоем
Шаповал Сергей Юрьевич
43. Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника.

"43.8. Развитие нанотехнологий наноэлектроники, нанофотоники и энергетики на базе высокоэнергетичных концентрированных пучков ионов." (N 0070-2014-0008)
Исследование методов формирования монослойных пленок графена на различных подложках (Ni /SiO2 / Si и Сu / SiO2 / Si) и модификации его свойств за счет облучения ионами углерода, в том числе, с использованием метода атомов отдачи.
Изучение кинетики низкотемпературного (воднопарового и автотермального ) реформинга этанола в объемном и микроканальном реакторах и в реакторе с водородосепарирующей мембраной.
Изучение кинетики выделения водорода из амминборана на различных катализаторах. Конструирование, испытание ПТП и определение условий оптимальной работы.
9 488.006 748.00- Лаб. N8, N24

Будут разработаны варианты технологии получения мелко залегающих слоев углерода в Cu и Ni подложках и формирования пленок графена больших площадей и способы их переноса на различные подложки. Установлены зависимости свойств пленок графена от параметров ионного облучения и термического отжига.
Будет проведено сравнение эффективности реформинга этанола в объемном и микроканальном реакторах. Будет изучено влияние степени извлечения водорода в реакторе с водородосепарирующей мембраной на равновесие ракций реформинга этанола. Будет выбран катализатор для эффективного выделения водорода из амминборана. Будет изготовлен портативный топливный процессор.
Вяткин Анатолий Федорович
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.
41. Опто-, радио- и акустоэлектроника, оптическая и СВЧ-связь, лазерные технологии.
43. Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника.

"40,41,43.10. Получение новых перспективных материалов, развитие методов диагностики материалов и структур микро- и наноэлектроники." (N 0070-2014-0010)
Развитие методов газофазного синтеза и исследования низкоразмерных материалов.
Изучение процессов роста сегнетоэлектрических пленок и многослойных структур на их основе при ионно-плазменном распылении. Разработка методов концентрационного и фазового анализов пленок многокомпонентных оксидов.
Разработка теоретических моделей основных электрических характеристик чувствительных элементов датчиков температуры и магнитного поля. Исследование влияния радиации на диэлектрик-полупроводник и барьер Шоттки-полупроводник структуры.
Развитие рентгеновской микротомографии, микрофлуоресцентной микроскопии, метода рентгеновского наведенного тока для исследования структурного совершенства, элементного состава и свойств элементной базы микро- и наноэлектроники Создание высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) нового поколения с зарядовой подкачкой
Развитие количественных методов характеризации элементной базы микро- и наноэлектроники на основе методов тока, индуцированного электронным, рентгеновским и световым пучками.
Исследования по разработке методов измерения критических размеров структур, 2D и 3D измерений в растровом электронном микроскопе.
Развитие методов расчета электронно-оптических систем.
Исследования по разработке диагностических методов электронной спектроскопии в растровом электронном микроскопе.
Исследование экстракционных и экстракционно-хроматографических свойств новых фосфор- и сера- содержащих органических реагентов.
Рентгеновские планарные преломляющие линзы и интерферометры на их основе для локального анализа и диагностики наноматериалов и наноструктур.
54 279.0039 000.56- лаб. N 4, 5, 9, 11, 12, 14, 15, 18, 22, 27

Будут получены массивы нанокристаллов и наноструктурированные пленки оксида цинка, нитридов алюминия и галлия, а также графеноподобные пленки, исследованы их физические свойства применительно к перспективам их практического использования.
Будет разработана научная основа технологии производства широкого класса пленочных сегнетоэлектрических приборов и устройств.
Будет предложена теоретическая модель и созданы, экспериментальные образцы чувствительных элементов датчиков температуры и магнитного поля различной топологии и конструкций.
Будут изготовлены фазовые зонные пластинки Френеля скользящего падения для фокусировки рентгеновского излучения с размером фокуса ~1 мкм. Будет исследован элементный состав и распределение примесей в материалах и реальных структурах микро- и наноэлектроники с использованием френелевской зонной оптики и поликапиллярной оптике (методы рентгеновского наведенного тока, микрофлуоресцентного анализа).
Будут исследованы свойства дискретных оптических волноводов из малых частиц на основе квази - сепарабельного Т - оператора рассеяния; исследован вклад резонансного взаимодействия между плазмонными частицами внутри ячейки электромагнитного кристалла в его эффективную магнитную проницаемость; изготовлены лабораторные образцы сплошных полосковых волноводов с одномерными дифракционных решетками на основе кремния; изготовлены лабораторные образцы дискретных оптических волноводов из малых частиц на основе кремния; изготовлены лабораторные образцы плазмонных частиц и их кластеров на основе кремния; изготовлены лабораторные образцы низкоразмерных структур из резонансных частиц, интегрированных на подложках с волноводами для возбуждения индивидуальных частиц.
Будут разработаны методы 2D и 3D измерений субмиллиметровых структур с нанометровым разрешением, что позволит повысить точность и качество изготовления рентгеновских линз. Будут разработаны методы расчета электронно-оптических элементов РЭМ с постоянными магнитами. Использование постоянных магнитов позволит синтезировать электронно-оптические системы с меньшими габаритами и энергопотреблением.
Будет разработано и оптимизировано конструктивно-технологическое исполнение СЭ наземного применения с зарядовыми насосами методами дефектно-примесной инженерии Спектроскопия в отраженных электронах позволит разработать метод определения толщин пленочных оптически непрозрачных, однородных по геометрии (без ступенек) плоских покрытий с нанометровым пространственным разрешением, в том числе по глубине. Спектроскопия во вторичных электронах позволит разработать метод высоколокальной, высокочувствительной визуализации распределения легирующих примесей в полупроводниковых кристаллах с количественным определением степени легирования в диапазоне 1016 - 1020 см-3.
Будет изучено межфазное распределение микроколичеств Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb и Lu между водными растворами различных кислот и растворами новых фосфор- и сера замещенного органических реагентов в различных органических растворителях. Будет определена стехиометрия экстрагируемых комплексов, рассмотрено влияние концентрации кислот в водной фазе и природы органического растворителя на эффективность перехода ионов металлов в органическую фазу.
Будут теоретически и экспериментально исследованы особенности работы и оптические характеристики 30-ти линзового интерферометра; разработаны новые и модернизированы имеющиеся компьютерные программы численного моделирования формирования интерференционной структуры волнового поля излучения в многолинзовом интерферометре; исследованы особенности плазменного травления кремния при криогенных температурах как метода, позволяющего уменьшить степень шероховатости преломляющих поверхностей линз. На основе преломляющих линз и интерферометров будут развиты методы локального анализа и диагностики наноматериалов и наноструктур, метрологии и диагностики источников синхротронного излучения и лазеров на свободных электронах.
Аристов Виталий Васильевич
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.
41. Опто-, радио- и акустоэлектроника, оптическая и СВЧ-связь, лазерные технологии.
43. Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника.

"Исследование электрических, магнитных и оптических свойств низкоразмерных гетероструктур и метаматериалов с целью поиска и разработки физических и технологических принципов построения перспективной элементной базы микро- и наноэлектроники." (N0070-2015-0022)
Разработка научно-технологических основ, изготовление макетов и проведение исследований влияния состава и строения, влияния спин-поляризованного тока на магнитное и резистивное состояние ГМР- и ТМР-структур из ферромагнитных, антиферромагнитных и нормальных металлов и диэлектриков.
Разработка научно-технологических основ, изготовление макетов и проведение исследований влияния состава и строения, влияния спин-поляризованного тока на свойства спин-инжекционных генераторов терагерцевого излучения на основе ферромагнитных, антиферромагнитных и нормальных металлов и диэлектриков.
Создание лазерных люминофоров нового типа с повышенной яркостью свечения.
Создание фотонных атомов на основе поликристаллических сферических образцов различных оксидов, легированных редкими землями и квантовыми точками.
Магнитооптические эффекты при резонансном рассеянии электромагнитного излучения на упорядоченных и случайных кластерах малых частиц.
9 321.306 375.00- Лаб. N 3, 12, 13

Технологический маршрут, рабочие макеты, результаты исследования, научные публикации и патенты по разработке научно-технологических основ эпитаксиальных наноструктур из металлов для создания ТМР- и ГМР-структур и эффективных генераторов терагерцевого излучения, включая новый прибор - твазер.
На основе теоретического моделирования и расчета изолированных фотонных мод трехмерных оптических сферических резонаторов будут созданы эффективные излучающие монодисперсные размерно квантованные порошковые люминофоры в красной и фиолетовой областях спектра.
Будет проведено исследование кристаллической структуры и эмиссионных свойств наночастиц сферической формы размером от 100 нм до 500 нм различных оксидных люминофоров SiO2, ZnO, Y2O3 и Lu2O3 , полученных методом осаждения из раствора. Легирование редкоземельными элементами и полупроводниковыми квантовыми точками этих метаматериалов позволит управлять интенсивностью, яркостью и временем затухания их люминесценции при изменении размера наночастиц.
Будет исследован поверхностный магнитооптический эффект (Керра), возникающий при отражении волны от композитного метаматериала.
Михайлов Геннадий Михайлович
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.

"Проект «Магниторезистивные эффекты и наведенные спин-поляризованным током магнитные состояния в эпитаксиальных гетероструктурах на основе ферромагнитных и антиферромагнитных металлов.» Программы фундаментальных научных исследований ОНИТ РАН N5 «Фундаментальные проблемы физики и технологии эпитаксиальных наноструктур и приборов на их основе»" (N0070-2015-0024)
Развитие технологии и исследование резистивных свойств гетероэпитаксиальных структур на основе ферромагнитных и антиферромагнитных металлов с наведенными спин-поляризованным током магнитными состояниями с целью понижения порога переключения током. 285.00-- Лаб. N3

Метод определения магнитного состояния АФМ в двухслойных ФМ-АФМ (Fe-FeMn(NiO)) микроструктур при разных направлениях вектора антиферромагнетизма методом магнитосиловой микроскопии и микромагнитного расчета. В 2016 году вектор антиферромагнетизма АФМ будет задаваться направлением напряженности магнитного поля при магнитном отжиге, проводимом при температуре близкой к температуре Нееля. В дальнейшем, в 2017 году для изменения этого вектора будет использован спин-поляризованный ток для определения порогов переключения.
Влияние магнитного состояния АФМ на магнитный контраст ФМ и магниторезистивные характеристики за счет проявления обменного взаимодействия на границе ФМ-АФМ. Для сравнения, будут проведены контрольные эксперименты в аналогичных структурах, когда слои ФМ и АФМ разделены тонкой прослойкой из нормального металла, исключающей такое обменное взаимодействие.
Михайлов Геннадий Михайлович
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.

"Проект "Исследование возможности использования новых квантовых эффектов в мезоскопических структурах, для создания элементной базы квантовых компьютеров" Программы фундаментальных исследований ОНИТ РАН «Элементная база квантовых компьютеров»" (N0070-2015-0025)
Отработка технологии с использованием неорганических двухслойных масок, позволяющих существенно повысить чистоту подложки, а также проводить нагрев подложки до 500С с целью получения монокристаллических кубитов с повышенным временем когеренции.
Изготовление неорганических двухслойных масок Получение сверхпроводящих кубитов Al/Al2O3/Al и Nb/Al2O3/Nb с использованием неорганических масок
Измерение низкотемпературных электрических характеристик изготовленных кубитов.
330.00-- Лаб. N20

Подбор материалов для двуслойных неорганических масок, травителей. Будут определены скорости травления для создания нависающих масок и последующей процедуры их удаления;
Будет отработана методика с использованием двухслойных масок и изготовлены чипы со сверхпроводящими кубитами;
Анализ результатов измерений.
Тулин Вячеслав Александрович
43. Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника.

"Проект "Композитные материалы на основе резонансных дискретных структур для разработки оптической элементной базы гетерогенных телекоммуникационных систем" Программы фундаментальных исследований ОНИТ РАН N2 «Научные основы создания гетерогенных телекоммуникационных и локационных систем и их элементной базы»" (N0070-2015-0026)
Разработка теоретических основ функционирования и конструкции искусственных оптических композитных материалов, представляющих собой пространственно упорядоченные и случайные (неупорядоченные) дискретные микро- и нано- структуры, свойства которых обусловлены резонансными и интерференционными эффектами при рассеянии электромагнитных волн. В качестве таких структур будут рассмотрены периодические системы диэлектрических и металлодиэлектрических рассеивателей (разной размерности дифракционные решетки, фотонные кристаллы) и периодические и неупорядоченные кластеры диэлектрических и металлических малых частиц. 330.00-- Лаб. N12

- расчет токов в линейной цепочке взаимодействующих ближними полями малых плазмонных частиц при возбуждении крайней частицы в приближении взаимодействия ближайших соседей и вне этого приближения;
- расчет токов в линейной цепочке малых плазмонных частиц при возбуждении нескольких частиц с учетом частотной дисперсии диэлектрической проницаемости материала частиц;
- расчет возможности перевозбуждения вложенных кольцевых кластеров малых частиц;
- расчет добротности дискретного резонатора в виде кластера малых частиц сферической и цилиндрической формы;
- расчет условий возникновения эффекта затенения при рассеянии электромагнитной волны на малом кластере малых частиц;
- исследование возможности фильтрации эванесцентных и однородных волн, применительно к разработанному ранее методу пространственной и интерференционной спектроскопии ближнего волнового поля;
- расчет изменения формы электромагнитного импульса, отраженного от неупорядоченной среды из резонансных частиц и доли энергии падающего импульса, аккумулированной в частицах;
- расчет параметров, разработка методики и изготовление образцов полосковых волноводов, лежащих на многослойной подложке и содержащих дифракционные решетки и двумерные фотонные кристаллы, для возбуждения линейного или кольцевого кластера малых частиц.
Барабаненков Михаил Юрьевич
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.

"Проект "Исследование связанных мезоскопических сверхпроводниковых структур" Программы фундаментальных исследований Президиума РАН «Актуальные проблемы физики низких температур»" (N 0070-2015-0027)
Исследование квантового магнето-резистивного транспорта односвязных и двусвязных сверхпроводящих мезоскопических структур;
оценка влияние геометрии и внешних параметров (магнитного поля и тока), а также нелокальных и неравновесных эффектов на электронный транспорт
202.00-- Лаб. N 20

Будет экспериментально исследован квантовый магнето-резистивный транспорт односвязных и двусвязных сверхпроводящих мезоскопических структур, имеющих очень малое поперечное сужение. Особое внимание будет уделено изучению нелокальных и неравновесных разогревных эффектов в резистивном отклике этих структур на внешний ток и магнитное поле при температурах чуть ниже критического значения.
Ожидается обнаружить сильное влияние геометрии и внешних параметров (магнитного поля и тока), а также нелокальных и неравновесных эффектов на электронный транспорт в односвязных и двусвязных сверхпроводящих мезоскопических структурах с малым поперечным сужением.
Тулин Вячеслав Александрович
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.

"Проект "Влияние взаимодействия частей мезоскопических сверхпроводящих структур на их состояние" Программы фундаментальных исследований Президиума РАН «Актуальные проблемы физики низких температур»" (N 0070-2015-0028)
Исследование возможного механизма сверхпроводимости в купратах. Проверка модели в твердотельных структурах на основе алюминия в виде сверхпроводящих пленок с островками, отделенными, от матрицы барьерами. 202.00-- Лаб. N 4

Будет проверено предположение о парном электрон-электронном взаимодействии не только посредством фононов, но и при дополнительном взаимодействии с электронными состояниями островков, типа вигнеровского кристалла.
Будут приготовлены на основе алюминия структуры в виде сверхпроводящих пленок с островками, отделенными, согласно предложенной модели состояния, от матрицы барьерами и измерены их сверхпроводящие свойства.
Будет выполнено варьирование параметров структур, что позволит сделать выводы о применимости предложенной модели сверхпроводящего состояния для таких структур.
Ильин Александр Иванович
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.

"Проект "Исследование электронных свойств многослойных структур, состоящих из слоев графена и ультратонких кристаллических пленок из полупроводников и диэлектриков" Программы фундаментальных исследований Президиума РАН «Актуальные проблемы физики низких температур»" (N 0070-2015-0029)
Исследование электронных свойств многослойных структур, состоящих из слоев графена и ультратонких кристаллических пленок из полупроводников и диэлектриков. 202.00-- Лаб. N 6

Будут исследованы электронные свойства многослойных структур, состоящих из слоев графена и ультратонких кристаллических пленок из полупроводников и диэлектриков. Будут изготовлены туннельно-тонкие многослойные гетероструктуры и исследован в них вертикальный электронный транспорт. Предполагается выяснить механизмы токопрохождения между смежными слоями графена в условиях низких температур и квантующих магнитных полей, в частности, исследованы особенности рассеяния носителей тока на фононах.
Морозов Сергей Владимирович
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.

"Проект "Туннельный транспорт и фотоэлектрические явления в AlGaAs/InAs гетероструктурах с квантовыми точками" Программы фундаментальных исследований Президиума РАН «Актуальные проблемы физики низких температур»" (N 0070-2015-0030)
Исследование механизмов формирования разных типов множественных областей отрицательной дифференциальной проводимости в туннельных спектрах p-i-n GaAs/AlAs гетероструктур с AlAs барьерами. Исследование механизмов латерального транспорта и вертикального магнитотуннелирования в квантующих магнитных полях в полупроводниковых тонких пленках и двумерных кристаллах селенида индия, а также многослойных структурах на основе таких материалов. 200.55-- Лаб. N 6

Предполагается исследовать механизмы формирования разных типов обнаруженных нами недавно множественных областей отрицательной дифференциальной проводимости в туннельных спектрах p-i-n GaAs/AlAs гетероструктур с AlAs барьерами в активной области при воздействии на них светом с энергией фотонов, превышающей ширину запрещенной зоны GaAs и их зависимостей от принципиальных параметров гетероструктур, отвечающих за эффективность поглощения фотонов и процессы генерации-рекомбинации носителей.
Будут разработаны и развиты технологические методы получения высококачественных полупроводниковых тонких пленок и двумерных кристаллов селенида индия из объемных кристаллов и исследованы механизмы латерального транспорта и вертикального магнитотуннелирования в них в квантующих магнитных полях, а также многослойных структурах на основе таких материалов.
Предполагается также изучить роль межчастичных взаимодействий в транспорте носителей.
Ханин Юрий Николаевич
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.

"Проект "Сильно коррелированные электронные системы" Программы фундаментальных исследований Президиума РАН «Актуальные проблемы физики низких температур»" (N 0070-2015-0031)
Исследование резистивных свойств гетероструктур нормальный металл (сверхпроводник) - топологический изолятор и микроструктур на их основе при температурах жидкого гелия. 202.00-- Ранее выполненные исследования механизма эффекта бистабильных резистивных переключений (БЭРП) в гетероструктурах нормальный металл - соединения окислов переходных металлов (ОМ) и топологических изоляторов (ТИ) показали, что под воздействием электрического поля происходит изменения резистивных свойств материалов (ОМ) и (ТИ) вблизи гетеро-границы. Предполагается исследовать свойства гетероструктур нормальный металл (сверхпроводник) - топологический изолятор и микроструктур, изготовленных на основе выше упомянутых структур при температурах жидкого гелия. Будут исследованы эффекты влияния на электрические свойства как прямого допирования состава ТИ, так и его локальных (более мягких) изменений под действием приложенного электрического поля (те, что происходит при БЭРП).
Березин Всеволод Авенирович
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.

"Проект "Кинетические электронные явления в многослойных структурах на основе графена" Программы фундаментальных исследований Президиума РАН N 1 «НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ. »" (N 0070-2015-0032)
Исследование электронного транспорта и теплопереноса в двумерных кристаллах. 291.50-- Лаб. N 6

Будут исследованы особенности колебаний решетки и влияние деформаций на электронный транспорт и теплоперенос в двумерных кристаллах. Предполагается исследовать теплопроводность графена и нитрида бора и возможность их использования в качестве теплоотводящих сверхтонких покрытий.
Морозов Сергей Владимирович
40. Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров, материалы для микро- и наноэлектроники, нано- и микросистемная техника, твердотельная электроника.

"Проект "Фотоэлектрические процессы в эпитаксиальных AlGaAs/InAs наноструктурах и вандерваальсовских гетеросистемах на основе слоев двумерных кристаллов" Программы фундаментальных исследований Президиума РАН N 1 «НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ»" (N0070-2015-0033)
Исследование фотоэлектрических и транспортных процессов в эпитаксиальных GaAs/AlAs/InAs наногетеросистемах. Изучение возможности применения таких систем для реализации однофотонных детекторов, излучателей и других перспективных устройств и путей увеличения эффективности этих устройств за счет модификации дизайна гетеросистем и технологических методов. 291.50-- Будут изучены фотоэлектрические и транспортные процессы в эпитаксиальных GaAs/AlAs/InAs наногетеросистемах с самоорганизованными InAs квантовыми точками и вертикальных вандерваальсовских наногетеросистемах и составляющих их двумерных кристаллических слоях различных материалов по отдельности. При этом будет изучен потенциал таких типов гетеросистем для реализации однофотонных детекторов, излучателей и других перспективных устройств и путей увеличения эффективности этих устройств за счет модификации дизайна гетеросистем и технологических методов. Предполагается исследовать разные типы квантовых осцилляций фотопроводимости, обнаруженных нами недавно в p-i-n GaAs/AlAs/InAs гетероструктурах с AlAs барьерами и слоями InAs квантовых точек.
Основной целью будет выяснение природы высокочастотной моды осцилляций, появляющейся в низкоэнергетическом интервале смещений, вблизи состояния плоских зон, и исследование влияния накопления заряда на квантовых точках на период осцилляций. Будут исследованы процессы релаксации заряда и осцилляции фототока при импульсном освещении гетероструктур.
Будут проведены исследования эпитаксиальных и вандерваальсовских гетероструктур с помощью резонансной магнитотуннельной спектроскопии.
Ханин Юрий Николаевич
43. Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноматериалы, нанодиагностика, наноэлектроника и нанофотоника.

"Проект "Самоорганизация на наноуровне композитных материалов катализатор- полимер для современных электрохимических источников тока" Программы фундаментальных исследований Президиума РАН N 1 «НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ»" (N0070-2015-0034)
Разработать методы пропитки и золь-гель метод получения никелевых катализаторов на различных носителях: оксиды цинка и кремния, молекулярные сита. 180.00-- Лаб. N8, 24

На разработанных катализаторах в объемном реакторе провести сравнение состава продуктов каталитического воднопарового реформинга этанола с целью получения водорода с минимальным содержанием моноокиси углерода, пригодного для использования в водородно-воздушных топливных элементах
Вяткин Анатолий Федорович
Итого120 228.8583 733.560.00