Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  

 СТАТУС | СОСТАВ | ПОВЕСТКА | ЗАЩИТА ДИССЕРТАЦИИ 

ДИССЕРТАЦИОННАЯ РАБОТА





слово,
как прописано:
обновлено 13 декабря 2018 г.
Баранова Глеба Владимировича
" Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах Si при ионной имплантации "
представленная на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.

предварительное рассмотрение: 24 октября 2018 г.    протокол о принятии к защите

защита диссертации: 27 декабря 2018 г.
Отзывы на автореферат:  1 ,  2 ,  3 ,  4 ,  5 ,  6 . Оппоненты и ведущая организация:
  Сведения об официальном оппоненте (Попов В.П.)
  Сведения об официальном оппоненте (Горшков О.Н.)
  Сведения о ведущей организации

отзывы оппонентов и ведущей организации:
  Попов В.П.
  Горшков О.Н.
  отзыв ведущей организации

  отзыв научного руководителя (Итальянцев А.Г.)
Диссертационный совет Д 002.081.01 при ИПТМ РАН
адрес:142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Академика Осипьяна 6