ИСТОРИЯ ИПТМ РАН:

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) был создан в соответствии с постановлением ЦК КПСС и СМ от 29 мая 1983г. И постановлением Президиума АН СССР от 29 сентября 1983 г. N1067 на базе подразделений Института физики твердого тела и начал функционировать с 1 января 1984 г.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии наук формировался в 1982 - 1983 г.г. в составе Института физики твердого тела АН СССР и получил самостоятельность 1 января 1984 года. Основатель новой академической организации и ее директор в первые годы член-корр. АН СССР, дважды лауреат Государственной премии СССР, профессор Ч. В. Копецкий заложил в жизнь молодого научного учреждения основы таких традиций, как динамизм в проведении исследований, поиск их приложений в самых неожиданных областях, направленность исследований на получение конечного результата. Большой вклад в формирование научных направлений Института внес безвременно умерший кандидат физико-математических наук Г.И. Коханчик.

Становление Института проблем технологии микроэлектроники как научной организации происходило одновременно с организацией по инициативе вице-президента АН СССР академика Е. П. Велихова Отделения информатики и вычислительной техники и автоматизации Академии наук СССР, куда и вошел ИПТМ АН СССР.

Директор-организатор
ИПТМ РАН (1984-1988 гг)
Член-корреспондент АН СССР Чеслав Васильевич Копецкий

Перед Институтом ставилась задача проведения фундаментальных исследований в области физических основ микроэлектроники и свойств микро- и нанообъектов, создание методов контроля и диагностики микроструктур, разработка новых технологических процессов микроструктурирования, поиск и получение новых материалов для микроэлектроники.

В связи с поставленными задачами формировалась и структура научных и производственных подразделений. Кроме того, было создано несколько отраслевых лабораторий совместно с заводом имени 50-летия СССР Министерства электронной промышленности, институтами Министерства промышленности средств связи, с ГИРЕДМЕТ.

ИПТМ установил научные и производственные связи со многими институтами Академии наук СССР, МГУ им. М.В. Ломоносова, предприятиями и отраслевыми научно-исследовательскими институтами гг. Москвы, Санкт-Петербурга, Минска, Новосибирска, Еревана, Киева, Нижнего Новгорода, Кишинева, Томска, Выборга, Зеленограда, Фрязино и других городов. Были подписаны соглашения о научно-техническом сотрудничестве с рядом научных организаций Германии, Франции, Швеции, Великобритании, Японии.

Ученые ИПТМ РАН явились инициаторами развития двух оригинальных научных направлений, нашедших мировое признание: металлическая наноэлектроника (лаб. доктора физико.математических наук В. Т. Петрашева) и Брегг-Френелевская рентгеновская оптика (отдел член-корр. РАН В. В. Аристова). Сотрудники ИПТМ РАН выполнили оригинальные разработки в области электронно-лучевой и ионной литографии, плазменно-химического травления, осаждения пленок методами CVD, стимулированного ЭЦР, электронно-лучевого, магнетронного и лазерного напыления. Эти разработки сегодня лежат в основе создаваемых институтом приборов, установок и новых технологий. Успешно развивалась и традиционная для ИПТМ, возникшая еще в ИФТТ АН СССР, тематика получения и анализа чистых веществ.

Директор ИПТМ РАН
(1989-2004 гг.)
Член-корреспондент РАН
Виталий Васильевич Аристов

ИПТМ РАН формировался в трудные годы перестройки - годы спада интереса государства к постановке новых научных исследований. В это время развитие науки шло, по существу, только по инерции. В этих условиях огромная роль в развитии Института принадлежала директору ИПТМ РАН член-корр. РАН В. В. Аристову.

Директор ИПТМ РАН
(2004 г. - 2016 г.)
Профессор, доктор физико-математических наук
Вячеслав Александрович Тулин

Структура научных подразделений института регулярно изменялась и совершенствовалась: расформировывались одни и возникали новые группы и лаборатории. В настоящее время она соответствует основным направлениям научной деятельности ИПТМ РАН.

Коллектив ИПТМ РАН развивает фундаментальные и перспективные прикладные исследования, а также разрабатывает технологические процессы и научнотехнологическое оборудование. Среди широкого спектра задач, решаемых учеными ИПТМ РАН, можно выделить основные темы исследовательских работ:

1. Физические принципы создания элементной базы наноэлектроники, элементной базы квантовых компьютеров
   (руководитель - д.ф.-м.н. Тулин В.А.).
2. Разработка основ материаловедения и технологии элементной базы микросистемной техники, включая наноэлектронику, наноионику и нанооптику. Развитие технологий получения и анализа материалов электронной техники
   (руководитель - чл.-корр. РАН Аристов В.В.).
3. Физические основы и технология формирования приборных структур микро- и наноэлектроники с помощью атомных, ионных и молекулярных пучков
   (руководитель - д.ф.-м.н. Вяткин А.Ф.).
4. Исследование физических основ и разработка технологии элементной базы СВЧ электроники
   (руководитель - к.т..н. Шаповал С.Ю.).

На базе пяти аналитических лабораторий в 1993 г. создан аналитико-сертификационный центр, разрабатывающий новые методы анализа высокочистых веществ, объектов окружающей среды, технологических сред и материалов (используемых в технологии микроэлектроники), биологических и пищевых продуктов сталей и сплавов, полу- и сверхпроводников сложного состава с использованием атомно- и масс-спектроскопических, ядерно-физических методов анализа.

В Институте работает специализированный ученый совет по защите докторских и кандидатских диссертаций Д 002.081.01 по специальностям 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (физико-математические науки) и 05.27.06 - технология оборудования для производства полупроводниковых материалов, материалов и приборов электронной техники (химические науки).

Для подготовки высококвалифицированных научных кадров при ИПТМ РАН создана аспирантура и организованы филиал кафедры физического материаловедения Московского института стали и сплавов (МИСиС), совместная с Московским физико-техническим институтом (МИФИ) кафедра электроники и Научно- учебный Центр ИПТМ - ФТИАН - МГУ им. М. В. Ломоносова.

Институт является организатором регулярных Российских симпозиумов по растровой электронной микроскопии и Российских конференций по электронной микроскопии.