ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ

Институт проблем технологии микроэлектроники
и особочистых материалов
Российской академии наук

142432, Россия, Черноголовка, ул. Осипьяна, 6; +7 (495) 962‑80‑74; general@iptm.ru

Об Институте

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) был создан в соответствии с постановлением ЦК КПСС и СМ от 29 мая 1983г. И постановлением Президиума АН СССР от 29 сентября 1983 г. N1067 на базе подразделений Института физики твердого тела и начал функционировать с 1 января 1984 г.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии наук формировался в 1982 - 1983 г.г. в составе Института физики твердого тела АН СССР и получил самостоятельность 1 января 1984 года. Основатель новой академической организации и ее директор в первые годы член-корр. АН СССР, дважды лауреат Государственной премии СССР, профессор Ч. В. Копецкий заложил в жизнь молодого научного учреждения основы таких традиций, как динамизм в проведении исследований, поиск их приложений в самых неожиданных областях, направленность исследований на получение конечного результата.


п≤п÷п╒п° п═п░п²

Структура Института Сотрудники Внебюджетные проекты и Коммерческие предложения

Устав Госзадание Противодействие коррупции Дорожная карта План НИР Отчет ПФХД Лицензии Реквизиты
Основные положения Учетной политики ИПТМ РАН

Новости

Архив новостей

Наука


Элементная база

Развитие перспективных технологий создания элементной базы нано- и микроэлектроники, нано- и микросистемной техники, опто- и акустоэлектроники, фотоники

Новые материалы

Исследование и разработка физико-химических методов получения и анализа новых перспективных функциональных материалов для нано- и микроэлектроники, нано- и микросистемной техники, опто- и акустоэлектроники, фотоники

Методы диагностики

Физические основы перспективных методов диагностики структур нано- и микроэлектроники, нано- и микросистемной техники, опто- и акустоэлектроники, фотоники

Материаловедение

Материаловедение полупроводниковых материалов и приборов

Рентгеновская оптика

Физические основы рентгеновской оптики и акустооптики, разработка методов рентгеновской спектроскопии, томографии и микроскопии

Наноразмерные структуры

Исследование электрических, магнитных и оптических свойств наноразмерных и квантоворазмерных структур с целью поиска новых физических принципов построения элементной базы нано- и микроэлектроники, нано- и микросистемной техники, фотоники

Приборы

Разработка и изготовление приборов нано- и микроэлектроники, нано- и микросистемной техники, опто- и акустоэлектроники, фотоники

Датчики

Разработка и изготовление датчиков физических величин

Оборудование

Разработка и изготовление технологического и диагностического оборудования для создания и исследования элементной базы нано- и микроэлектроники на основе разрабатываемых материалов и технологий

Инновации Гранты

Семинары


Учёный совет

п≤п÷п╒п° п═п░п²
Заседания проходят по понедельникам в 14:30

Образование

Конкурсы

Вакансии Внешние конкурсы Госзакупки

Ресурсы

Базы данных Библиотека Архив Охрана труда