Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  

 СТАТУС | СОСТАВ | ПОВЕСТКА | ЗАЩИТА ДИССЕРТАЦИИ 

ДИССЕРТАЦИОННАЯ РАБОТА





слово,
как прописано:
обновлено 17 декабря 2021 г.
Шишлянникова Антона Валерьевича
"Исследование методов формирования структур с критическими размерами до 10 нм электронно-лучевой литографией на основе HSQрезиста*"
представленная на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.

предварительное рассмотрение: 23.09.2021 г.
принятие к защите: 21.10.2021 г.
защита диссертации: 23.12.2021 г.
Официальные оппоненты:

Быков Виктор Александрович, д-р тех. наук, проф., почетный президент группы компаний «NT-MDT Spectrum Instruments»

Зайцев Сергей Аркадьевич, канд. физ.-мат. наук, Фонд перспективных исследований, руководитель проекта направления информационных исследований руководитель Фонда перспективных исследований;


Ведущая организация - Физический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова, Кафедра физической электроники, г. Москва

Диссертационный совет Д 002.081.01 при ИПТМ РАН
адрес:142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Академика Осипьяна 6