Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  

 СТАТУС | СОСТАВ | ПОВЕСТКА | ЗАЩИТА ДИССЕРТАЦИИ 

ДИССЕРТАЦИОННАЯ РАБОТА





слово,
как прописано:
обновлено 6 апреля 2022 г.
Бусыгина Александра Николаевича
"Запоминающая матрица на основе наноразмерного комбинированного мемристорно-диодного кроссбара для биоморфного нейропроцессора"
представленная на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук по специальности 2.2.2 - "Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств"

предварительное рассмотрение: 21.03.22г.
принятие к защите: 04.04.2022
защита диссертации: 09.06.2022
Загрузить автореферат (pdf 0.7Mb)
Загрузить диссертацию (pdf 4.9Mb)
дата загрузки диссертации: 18.03.2022
Официальные оппоненты:

Ситников Александр Викторович, доц., д-р физ.-мат. наук по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния, Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Воронежский государственный технический университет», профессор кафедры физики твердого тела;

Емельянов Андрей Вячеславович, доц., канд. физ.-мат. наук по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников, Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», нач. отдела ресурсных центров Курчатовского комплекса НБИКС - природоподобных технологий;

Ведущая организация - Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых» г. Владимир

Диссертационный совет Д 002.081.01 при ИПТМ РАН
адрес:142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Академика Осипьяна 6