Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  
ОБ ИНСТИТУТЕ   СТРУКТУРА   ИПТМ: ДОКУМЕНТЫ   НАШИ КООРДИНАТЫ   ПЛАНЫ   НАПРАВЛЕНИЯ   УЧЕНЫЙ СОВЕТ   УЧАСТИЕ В ФЦП   ДИССЕРТАЦИОННЫЙ СОВЕТ   КОНКУРСЫ/ВАКАНСИИ   ТОРГИ   АСПИРАНТУРА   ШКОЛЫ И КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   НОВОСТИ   ВНЕШНИЕ КОНКУРСЫ   СОУТ   ПРОТИВОДЕЙСТВИЕ КОРРУПЦИИ   АНТИМОНОПОЛЬНОЕ  
 СТРУКТУРА | ДИРЕКЦИЯ | ЛАБОРАТОРИИ | АСИЦ 

ЛАБОРАТОРИЯ ИОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ
ПУБЛИКАЦИИ



ENGLISH VERSION


слово,
как прописано:


лаборатория N8
Основная
Персонал
    Статьи
    1. В.В. Привезенцев, В.С. Калинаускас, В.В. Затекин, В.И. Зиненко, Ю.А. Агафонов, В.К. Егоров, Э.А. Штейнман,А.Н. Терещенко, К.Д. Щербачов, "Исследование структуры SiO2/Si последовательно имплантированной ионами 64Zn+ и 16О+ и термообработанной в нейтрально-инертной среде", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N5, c.29, 2019г.
    2. Вяткин А.Ф., "Контролируемый синтез графена на меди с использованием метода имплантации атомов отдачи углерода", Письма в ЖТФ, V, N, c.49, 2019г.
    3. Лапин Н.В. Гринько В.В., Бежок В.С., Вяткин А.Ф., "Получение водорода низкотемпературным окислительным водно-паровым реформингом этанола на катализаторе Ni/ZnO", Альтернативная энергетика и экология, V, N, c.62, 2019г.
    4. Yu.A.Agafonov, N.M.Bogatov, L.R.Grigorian, V.I.Zinenko, A.I.Kovalenko, M.S.Kovalenko, F.A.Kolokolov, "Effect of low-energy proton irradiation on parameters of silicon structures with n-p junction", J Physics: Conference Series, V1015, N, c.022006, 2018г.
    5. V.I. Zinenko, Yu.A. Agafonov, V.V. Saraykin, V.G. Eremenko, D.V. Roshchupkin, D.M. Sedlovets, "Growth of SiC films on silicon substrate by cold implantation of recoil atoms", Materials Letters, V, N233, c.115, 2018г.
    6. Ю.А. Агафонов, Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, В.И. Зиненко, А.Н. Коваленко, М.С. Коваленко, Д.А. Колоколов, "Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетичными протонами в сильнолегированном слое, на характеристики кремниевых n+ - p- p+ - структур", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N10, c.86, 2018г.
    7. А.Н. Пустовит, "Эмиссионная теория распыления аморфных материалов. Самораспыление", Известия РАН, сер. Физическая, V82, N2, c.166, 2018г.
    8. А.Н. Пустовит, "ЭМИССИОННАЯ ТЕОРИЯ РАСПЫЛЕНИЯ АМОРФНЫХ МАТЕРИАЛОВ: ЗАВИСИМОСТЬ КОЭФФИЦИЕНТА РАСПЫЛЕНИЯ ОТ УГЛА ПАДЕНИЯ ПЕРВИЧНОГО ИОННОГО ПУЧКА", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.97, 2018г.
    9. Ю.А. Агафонов, В.И. Зиненко, О.В. Кононенко, В.В. Сарайкин, "Синтез графена методом холодной имплантации атомов отдачи углерода", Письма в ЖТФ, V43, N12, c.52, 2017г.
    10. А.Н. Пустовит, "ЭМИССИОННАЯ ТЕОРИЯ РАСПЫЛЕНИЯ АМОРФНЫХ МАТЕРИАЛОВ. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗАВИСИМОСТИ КОЭФФИЦИЕНТА РАСПЫЛЕНИЯ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N10, c.77, 2017г.
    11. Z. Insepov, A. Ainabayev, S. Kirkpatrick, M. Walsh Jr., A.F. Vyatkin, "Nanometer size hole fabrication in 2d ultrathin films with cluster ion beams", AIP Advances, V7, N-, c.075014, 2017г.
    12. А.Н. Пустовит, "Глубина выхода распыленных частиц при наклонном падении первичного оинного пучка", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N6, c.12, 2016г.
    13. K B Dybyspayeva, A Zhuldassov1, A Ainabayev, A F Vyatkin, K Alekseev and Z Insepov, ", Multiscale simulation of ion beam impacts on a graphene surface", J Physics: Conference Series, V751, N1, c.1, 2016г.
    14. А.Ф. Вяткин, В.Т. Волков, А.С. Колчина, "Структурные аспекты взаимодействия водорода со сплавами Pd-Ag и Pd-In-Ru", Альтернативная энергетика и экология, V, N21, c.37, 2016г.
    15. . В.В.Гринько, В.С.Бежок, Н.В.Лапин, А.Ф.Вяткин, "Низкотемпературная водно-паровая конверсия этанола на катализаторе Ni/ZnO в микроканальном реакторе", Альтернативная энергетика и экология, V185, N15, c.112, 2016г.
    16. . Zeke Insepov, Ardak Ainabayev, Kumiszhan Dybyspayeva, Abat Zhuldassov, Sean Kirkpatrick, Micheal Walsh and Anatoly F. Vyatkin,, "Graphene, Graphene Oxide and Silicon Irradiation by Cluster Ions of Argon and Highly Charged Ions", MRS Advances, V1, N20, c.1417, 2016г.
    17. Zeke Insepov, Kurbangali B. Tynyshtykbaev, Ardak Ainabayev, Anatoly F. Vyatkin, "Acoustic-Electric Properties of Graphene under the Influence of a Surface Acoustic Waves and an External DC Field", MRS Advances, V, N, c.1, 2016г.
    18. Н.В.Лапин, В.С.Бежок, В.В.Гринько, А.Ф.Вяткин, "Выбор носителя катализатора для снижения содержания моноокиси углерода при реформинге этанола", Альтернативная энергетика и экология, V185, N21, c.216, 2015г.
    19. Вяткин А.Ф., Волков В.Т., Еременко В.Г., Касумов Ю.А., Колчина А.С., "Экспериментальные исследования начальных стадий роста тонких пленок сплава Pd-Ag.", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N2, c.34, 2015г.
    20. Шилобреева С.Н., Зиненко В.И., Агафонов Ю.А., Сарайкин В.В., Бронский В.С., "Миграция атомов железа в кристаллических (Si) и аморфных телах", Геохимия, V, N7, c.603, 2014г.
    21. А.Н. Пустовит, А.М. Ионов, "Криосистема для охлаждения образцов вторично-ионного масс-спектрометра со статическим анализатором", Приборы и техника эксперимента, V, N1, c.133, 2014г.
    22. K. D. Shcherbacheva, M. I. Voronovaa, V. T. Bublika, V. N. Mordkovichb, D. M. Pazhinb, V. I. Zinenkob, and Yu. A. Agafonovb, "Influence of the Chemical Nature of Implanted Ions on the Structure of a Silicon Layer Damaged by Implantation", Crystallography Reports, V58, N7, c.1010, 2013г.
    23. А.Н.Пустовит, "Изменение состава приповерхностного слоя кремния при распылении ионными пучками кислорода и цезия", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N2, c.78, 2013г.
    24. Орлов А.Ф.,Балагуров Л.А.. Кулеманов И.А.,Перов Н.С., Ганьшина Е.А., Семисалова А.С.,Рубачева А.Д., Зиненко В.И., Агафонов Ю.А., Сарайкин В.В., "Магнитные и магнитооптические свойства ферромагнитного полупроводника GaN : Crr", Физика Твердого Тела, V54, N2, c.267, 2012г.
    25. А.А.Терещенко, В.И.Зиненко, И.И.Ходос, Ю.А.Агафонов, А.А.Жохов, В.М.Масалов, Э.А.Штейнман, Г.А.Емельченко, "Люминесценция алмаза, индуцированная ионной имплантацией Не+ в композиты SiC/C со структурой инвертированного опала", Физика Твердого Тела, V54, N3, c.549, 2012г.
    26. Г.А.Емельченко, В.М.Маслов, А.А.Жохов, А.Н.Терещенко, Э.А.Штейнман, В.И.Зиненко, И.И.Ходос, Ю.А.Агафонов, "Углеродные и углерод-карбидкремниевые нанокомпозиты со структурой инвертированного опала", Российский химический журнал, VLVI, N1-2, c.44, 2012г.
    27. A.F.Vyatkin,Yu.A. Agafonov, A.N. Pustovit, "Cold implants of boron and manganese ions in Si, SiO2 , and GaAs", AIP Conference Proceedings, V1496, N, c.83, 2012г.
    28. А.Ф.Вяткин, В.И.Зиненко, "Послойный анализ металлизации современных интегральных схем с помощью физического ионного распыления", Известия ВУЗов. Электроника, V, N2(94), c.95, 2012г.
    29. А.Н.Пустовит,А.Ф.Вяткин, "ПРЕЦИЗИОННОЕ ПРОФИЛИРОВАНИЕ ПО ГЛУБИНЕ СТРУКТУР НАНОЭЛЕКТРОНИКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ВТОРИЧНЫХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ИОНОВ В МЕТОДЕ ВИМС", Известия РАН, сер. Физическая, V76, N9, c.1121, 2012г.
    30. Ю.А.Агафонов,А.Ф.Вяткин,А.н.Пустовит, "" Эволюция профилей распределения бора и марганца , имплантированных в Si, SiO2 и GaAs при температурах 300К и 90К "", Вест. Нижегородского Университета, V5, N1, c.42, 2011г.
    31. А.Ф.Вяткин, В.И.Зиненко, "Диагностика отказов интегральных микросхем с использованием физического ионного распыления", Приборы и техника эксперимента, V, N2, c.132, 2011г.
    32. А.Ф.Вяткин, В.И.Зиненко, А.И.Ильин, О.В.Трофимов, "Планаризация пространственно-неоднородных структур с использованием физического ионного распыления", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N12, c.59, 2011г.
    33. Ю.А.Агафонов,А.Ф.Вяткин,А.Н.Пустовит, "ЭВОЛЮЦИЯ ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ БОРА И МАРГАНЦА, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ В Si, SiO2 И GaAs ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ 300 К И 90 К", Вест. Нижегородского Университета, V, N5(1), c.42, 2011г.
    34. А.Ф.Орлов, Л.А.Балагуров, И.В.Кулеманов, Ю.Н.Пархоменко, А.В.Картавых, В.В.Сарайкин, Ю.А.Агафонов, В.И.Зиненко, "Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем", Физика и Техника Полупроводников, V44, N1, c.30, 2010г.
    35. А.Н.Пустовит, "Диагностика методом ВИМС структуры нонометровых полупроводниковых слоев, легированных примесями", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.101, 2010г.
    36. А.Н.Пустовит, "Неупругие столкновения атомных частиц средних энергий в твердых телах", Известия РАН, сер. Физическая, V74, N2, c.184, 2010г.
    37. А.Ф.Орлов, А.Б.Грановский, Л.А.Балагуров, И.В.Кулеманов, Ю.Н.Пархоменко, Н.С.Перов, Е.А.Ганьшина, В.Т.Бублик, К.Д.Щербачев, А.В.Картавых, В.И.Вдовин, А.Сапелкин, Ю.А.Агафонов, В.И.Зиненко, А.Рогалев, А.Смехова, "Структура, электрические и магнитные свойства и природа ферромагнетизма при комнатной температуре в кремнии, имплантированном марганцем", ЖЭТФ, V136, N10, c.703, 2009г.
    38. А.Ф.Орлов, В.Т.Бублик, В.И.Вдовин, Ю.А.Агафонов, Л.А.Балагуров, В.И.Зиненко, И.В.Кулеманов, К.Д.Щербачев, "О состоянии имплантированной примеси Mn в Si", Кристаллография, V54, N4, c.596, 2009г.
    39. A.F.Orlov, L.A.Balagurov, I.V.Kulemanov, Yu.N.Parkhomenko, A,V.Rartavykh, V.V.Saraikin, Yu.A.Agafonov and V.I.Zinenko, "Charge Carriers Compensation in Ferromagnetic Mn- Implanted Si", The Open Applied Physics Journal, V, N2, c.20, 2009г.
    40. А.Ф.Орлов, Ю.А.Агафонов, Л.А.Балагуров, В.Т.Бублик, В.И.Зиненко, Н.С.Петров, В.В.Сарайкин, К.Д.Щербачев, "Исследование структурных характеристик ферромагнитного Si, имплантированного Mn", Кристаллография, V53, N4, c.696, 2008г.
    41. S.N.Shilobreeva, L.L.Kashkarov, M.Yu.Barabanenkov, A.N.Pustovit, V.I.Zinenko, Yu.A.Agafonov, "Proton and temperature-induced competitive segregation of iron on surface and volume sinks of silica", Nucl. Instrum. & Methods B, V256, N, c.216, 2007г.
    42. А.Б.Грановский, Ю.П.Сухоруков, А.Ф.Орлов, Н.С.Перов, А.В.Королев, Е.А.Ганьшина, В.И.Зиненко, Ю.А.Агафонов, В.В.Сарайкин, А.В.Телегин,Д.Г.Яркин, "Ферромагнетизм кремния, имплантированного Mn; намагниченность и магнито-оптический эффект Фарадея", Письма в ЖЭТФ, V85, N7, c.414, 2007г.
    43. К.В.Руденко,А.В.Мяконьких,А.А.Орликовский,А.Н.Пустовит, "Зондовые измерения параметров плазмы в технологических HDP-реакторах микроэлектроники в условиях осаждения диэлектрических пленок", Микроэлектроника, V36, N1, c.17, 2007г.
    44. В.Г.Бешенков,А.Г.Знаменский,В.А.Марченко,А.Н.Пустовит,А.В.Черных, "Расширение области температур эпитаксиального роста пленок YSZ на Si [100] при магнетронном напылении", Ж. Техн. Физики, V77, N5, c.102, 2007г.
    45. A.N.Georgobiani,A.N.Gruzintsev,V.T.Volkov,A.N.Pustovit,V.I.Dernin,V.A.Dravin,I.F.Gushin, "Luminescence of ZnO Films Implanted with Au+ Ions and Annealed in Oxygen Radicals", Краткие сообщения по физике ФИАН, V34, N6, c.159, 2007г.
    46. S.N.Shilobreeva, L.L.Kashkarov, M.Yu.Barabanenkov, A.N.Pustovit, V.I.Zinenko, and Yu.A.Agafonov, ""Proton Stimulated Redistribution of Fe Atoms in Quartz: Experimental Modeling of the Space Radiation Effects"", Doklady Earth Sciences +, V411, N9, c.1466, 2006г.
    47. А.Н. Пустовит, А.Ф. Вяткин, "ВИМС-диагностика нанометровых полупроводниковых структур с использованием ионов цезия", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N, c.65, 2006г.
    48. А.Н. Пустовит, "Неупругие столкновения атомных частиц средних энергий. Качественная модель потерь энергии при столкновении", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N10, c.41, 2006г.
    49. K.Rudenko,S.Averkin,V.Lukichev,A.Orlikovsky,A.Pustovit,A.Vyatkin, "Ultra Shallow p(+) - n Junctions in Si Produced by Immersion Ion Implantation", Proceedings of SPIE, V6260, N, c.6260031, 2006г.
    50. S.N.Shilobreva,L.L.Kashkarov,M,Yu.Barabanenkov,A.N.Pustovit,V.I.Zinenko,and Yu.A.Agafonov, "Proton-Stimulated Redistribution of Fe Atoms in Quartz: Experimental Modeling of the Space Radiation Effect", Doklady Earth Sciences +, V411A,November-Decemb, N9, c.1466, 2006г.
    51. V.Avrutin,U.Ozgur,H.Lee,H.Morkoc,A. Che Mofor,A. El-Shaer,A.Bakin,A.Waag,N.Izyumskaya,W.Schoch,F.Reuss,V.Beshenkov,A.N.Pustovit,A.F,Vyatkin, "Optical and Electrical Properties of ZnMnO Layers Grown by Peroxide MBE", Superlattiсes and Microstructures, V39, N, c.291, 2006г.
    52. A.F.Vyatkin, V.I.Zinenko, Yu.A.Agafonov, A.N.Pustovit, D.V.Roshchupkin, F.Reuss, C.Kirshner, R.Kling, A.Waag, "High-dose V+ implantation in ZnO thin film structures", Nucl. Instrum. & Methods B, V237, N, c.179, 2005г.
    53. В.И.Зиненко, Ю.А.Агафонов, А.Ф.Вяткин, А.Н.Пустовит,, "Получение мелко залегающих профилей распределения атомов бора в кремнии методом имплантации атомов отдачи", Вест. Нижегородского Университета, V8, N1, c.5, 2005г.
    54. В.И.Зиненко,Ю.А.Агафонов, А.Ф. Вяткин,А.Н. Пустовит, "Получение мелко залегающих профилей распределения атомов бора в кремнии методом имплантации атомов отдачи", Вест. Нижегородского Университета, V, N, c.5, 2005г.
    55. В.И.Зиненко, Ю.А.Агафонов, А.Ф.Вяткин, А.Н.Пустовит, "Получение мелко залегающих профилей распределение атомов бора в кремнии методом имплантации атомов отдачи", Вест. Нижегородского Университета, V, N, c.5, 2005г.
    Патенты
    1. Иржак Д.В., Черныш В.С., Вяткин А.Ф., "Способ модификации наноструктур материалов электронной техники газовыми кластерными ионами", 2019г.
    2. Вяткин А.Ф., Рощупкин Д.В., Сироткин В. В., Емелин Е.В., Иржак Д.В. Иржак А.В., "прямой метанольный топливный элемент", 2019г.
    3. Иржак Дмитрий Вадимович, Черныш Владимир Савельевич, Вяткин Анатолий Федорович, "Способ планаризации поверхности наноструктур материалов электронной техники пучком газовых кластерных ионов", 2019г.
    4. Вяткин А.Ф., Зиненко В.И., Агафонов Ю.А., Сарайкин В.В., "Способ создания мелко залегающих наноразмерных легированных слоев в кремнии", 2014г.
           © ИПТМ РАН, 1996-2025