Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  

 СТРУКТУРА | ДИРЕКЦИЯ | ЛАБОРАТОРИИ | АСИЦ 

ЛАБОРАТОРИЯ ЛОКАЛЬНОЙ ДИАГНОСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
ПУБЛИКАЦИИ



ENGLISH VERSION


слово,
как прописано:


лаборатория N14
    Статьи
    1. T. R. Volk, LL.S. Kokhanchik, Y. V. Bodnarchuk, R.V. Gainutdinov, E. B. Yakimov, L. I. Ivleva, "Electron-Beam Domain Patterning in Sr0.61Ba0.39Nb2O6 Crystals", Coatings, V10, N3, c.229, 2020г.
    2. Egor A. Kolesov, Mikhail S. Tivanov, Olga V. Korolik, Elmar Yu. Kataev, Fu Xiao, Olesya O. Kapitanova, Hak Dong Cho, Tae Won Kang and Gennady N. Panin, "Atmospheric adsorption on pristine and nitrogen-doped graphene: doping-dependent, spatially selective", J Physics D: Appl. Phys, V53, N4, c.045302, 2020г.
    3. Olesya O. Kapitanova, Evgeny V. Emelin, Sergey G. Dorofeev, Pavel V. Evdokimov, Gennady N. Panin, Youngmin Lee, Sejoon Lee, "5) Direct patterning of reduced graphene oxide/graphene oxide memristive heterostructures by electron-beam irradiation", Journal of Materials Science & Technology, V38, N, c.237, 2020г.
    4. G. Chen, L. Zhang, L. Li, F. Cheng, X. Fu, J. Li, R. Pan, W. Cao, A.S. Chan, G.N. Panin, J. Wan, H. Zhang, C. Liu, "GaSe layered nanorods formed by liquid phase exfoliation for resistive switching memory applications", Journal of Alloys and Compounds, V823, N15 May, c.153697, 2020г.
    5. Alina I. Inozemtseva, Victor A. Vizgalov, Olesya O. Kapitanova, Gennady Panin, Juan J. Velasco Vélez, Daniil M. Itkis, Dmitry Yu. Usachov, and Lada V. Yashina, "In Situ XPS Studies of Solid Electrolyte Electroreduction Through Graphene Electrode", Journal of The Electrochemical Society, V167, N, c.110533, 2020г.
    6. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин, А.В. Здоровейщев, Е.А. Ларионова, В.А. Ковальский, О.А. Солтанович, "Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga,Mn)As", Физика Твердого Тела, V62, N3, c.373, 2020г.
    7. T.R. Volk, L.S. Kokhanchik, Y.V. Bodnarchuk, R.V. Gainutdinov, E.B. Yakimov, L.I. Ivleva, "Electron-Beam Domain Patterning in Sr0.61Ba0.39Nb2O6 Crystals", Coating, V10, N, c.299, 2020г.
    8. A. Y. Polyakov, V. I. Nikolaev, S. I. Stepanov, A. I. Pechnikov, E. B. Yakimov, N.B. Smirnov, I. V. Shchemerov, A. A. Vasilev, A. I. Kochkova, A.V. Chernykh, S. J. Pearton, "Electrical Properties and Deep Traps in α-Ga2O3:Sn Films Grown on Sapphire by Halide Vapor Phase Epitaxy", ECS Journal of Solid State Science and Technology, V9, N, c.045003, 2020г.
    9. A Y Polyakov, N B Smirnov, I V Shchemerov, A A Vasilev, E B Yakimov, A V Chernykh, A I Kochkova, P B Lagov, Yu S Pavlov, O F Kukharchuk, A A Suvorov, N S Garanin, In-Hwan Lee, Minghan Xian, Fan Ren, S J Pearton, "Pulsed fast reactor neutron irradiation effects in Si doped n-type в-Ga2O3", J Physics D: Appl. Phys, V53, N, c.274001, 2020г.
    10. T.M. Vincent, S.K. Estreicher, J. Weber, V. Kolkovsky, N. Yarykin, "The Cu photoluminescence defect and the early stages of Cu precipitation in Si", J Applied Physics, V127, N, c.085704, 2020г.
    11. LS Kokhanchik, SM Shandarov, TR Volk, EN Savchenkov, MV Borodin, "Effect of titanium in LiNbO3 on domain growth during e-beam writing", Materials Research Express, V6, N10, c.106205, 2019г.
    12. Т.Р. Волк, Л. С. Коханчик, Р.В. Гайнутдинов, Я. В. Боднарчук, С.Д. Лавров, "Электронно-лучевая запись сегнетоэлектрических доменов на неполярных поверхностях кристаллов LiNbO3 и оптических волноводах на неполярных поверхностях", Вестник РФФИ, V103, N3, c.14, 2019г.
    13. Sejoon Lee, Youngmin Lee, Deuk Young Kim, Gennady N. Panin,, "Highly efficient low-voltage cathodoluminescence of semiconductive nanoporous ZnMnO green phosphor films", Applied Surface Science, V470, N15 March, c.234, 2019г.
    14. Egor A. Kolesov, Mikhail S. Tivanov, Olga V. Korolik, Olesya O. Kapitanova, Hak Dong Cho, Tae Won Kang, Gennady N. Panin, "Phonon anharmonicities in supported graphene", Carbon, V141, N, c.190, 2019г.
    15. Jun-Lian Chen(陈军联), Wen-Bin Zuo(左文彬), Xian-Wen Ke(柯贤文), Alexander B Tolstoguzov, Can-Xin Tian(田灿鑫), Neena Devi, Ranjana Jha, Gennady N Panin, and De-Jun Fu(付德君), "Structure, conductivity, and ion emission properties of RbAg4I5 solid electrolyte film prepared by pulsed laser deposition", Chinese Physics B, V28, N6, c.060705, 2019г.
    16. Gennady N. Panin, Olesya O. Kapitanova, "Photomemristive Heterostructures Based On Two-Dimensional Crystals", Advanced Materials Letters, V10, N7, c.470, 2019г.
    17. Егор Александрович Колесов, Артем Дмитриевич Пашинский, Михаил Сергеевич Тиванов, Ольга Васильевна Королик, Олеся Олеговна Капитанова, Геннадий Николаевич Панин, "Структурные свойства графена на медных подложках", Журнал Белорусского государственного университета. Физика, V, N2, c.58, 2019г.
    18. N N Kovaleva, D Chvostova, Z Potůček, H D Cho, Xiao Fu, L Fekete, J Pokorny, Z Bryknar, K I Kugel, A Dejneka, T W Kang, Gennady N Panin and F V Kusmartsev, "Efficient green emission from edge states in graphene perforated by nitrogen plasma treatment", 2D Materials, V6, N4, c.045021, 2019г.
    19. Xiao Fu, Lei Zhang, Hak D. Cho, Tae Won Kang, Dejun Fu, Dongjin Lee, Sang Wuk Lee, Luying Li, Tianyu Qi, Abdul S. Chan, Ziyodbek A. Yunusov, and Gennady N. Panin, "Molybdenum Disulfide Nanosheet/Quantum Dot Dynamic Memristive Structure Driven by Photoinduced Phase Transition", Small, V, N, c.1903809, 2019г.
    20. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, А.В. Кудрин, И.Л. Калентьева, Е.А. Ларионова, В.А. Ковальский, О.А. Солтанович, "Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного нанесения", Физика и Техника Полупроводников, V53, N3, c.351, 2019г.
    21. О.А. Солтанович, В.А. Ковальский, П.С. Вергелес, М.В. Дорохин, Ю.А. Данилов, "Исследование протяженных электрически активных дефектов в гетероструктурах на основе соединений (Ga,Mn)As/(In,Ga)As методами наведенного тока и релаксационной спектроскопии глубоких уровней", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N2, c.42, 2019г.
    22. V.A. Kovalskiy, V.G. Eremenko, P.S. Vergeles, O.A. Soltanovich, I.I. Khodos, M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, "On the mechanism of cross-hatch pattern formation in heterostructures with a small lattice mismatch", Applied Surface Science, V479, N, c.930, 2019г.
    23. O.A. Soltanovich, V.I. Orlov, N. Yarykin, E.B. Yakimov, "Room-Temperature Ni Interaction with Deformation-Induced Defects in Si: A DLTS Study", Physica Status Solidi A, V216, N17, c.1900326, 2019г.
    24. P. S. Vergeles, V. I. Orlov, A. Y. Polyakov, E.B. Yakimov, Taehwan Kim, In-Hwan Lee, "Recombination and optical properties of dislocations gliding at room temperature in GaN under applied stress", Journal of Alloys and Compounds, V776, N, c.181, 2019г.
    25. С.М. Пещерова, Е.Б. Якимов, А.И. Непомнящих, В.И. Орлов, О.В. Феклисова, Л.А. Павлова, Р.В. Пресняков, "Зависимость объемных электрофизических свойств мультикремния от параметров разориентации зерен", Физика и Техника Полупроводников, V53, N1, c.59, 2019г.
    26. А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов, М.В. Дорохин, П.Б. Демина, Ю.М. Кузнецов, "Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана. Физика и техника полупроводников", Физика и Техника Полупроводников, V53, N1, c.101, 2019г.
    27. В.И. Орлов, Н.А. Ярыкин, Е.Б. Якимов, "Влияние никеля и меди, введенных при комнатной температуре, на рекомбинационные свойства протяженных дефектов в кремнии", Физика и Техника Полупроводников, V53, N4, c.433, 2019г.
    28. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, E. B Yakimov, S. J. Pearton, Fan Ren, A. V. Chernykh, D. Gogova, A. I. Kochkova, "Electrical Properties, Deep Trap and Luminescence Spectra in Semi-Insulating, Czochralski β-Ga2O3 (Mg)", ECS Journal of Solid State Science and Technology, V8, N7, c.Q3019, 2019г.
    29. С.К. Брантов, Е.Б. Якимов, "Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si-композиционный материал", Физика и Техника Полупроводников, V53, N2, c.231, 2019г.
    30. М.А. Поликарпов, Е.Б. Якимов, "Моделирование свойств бета-вольтаических элементов на основе кремния и обогащенной пленки 63Ni", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N4, c.22, 2019г.
    31. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Schemerov, A. V. Chernykh , E. B. Yakimov , A. I. Kochkova, Jiancheng Yang, Chaker Fares , F. Ren, S. J. Pearton, "Deep traps and persistent photocapacitance in β-(Al0.14 Ga0.86)2O3/Ga2O3 heterojunctions", J Applied Physics, V125, N, c.095702, 2019г.
    32. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Schemerov, A. V. Chernykh, E. B. Yakimov, A. I. Kochkova, A. N. Tereshchenko, S. J. Pearton, "Electrical Properties, Deep Levels and Luminescence Related to Fe in Bulk Semi-Insulating β-Ga2O3 Doped with Fe", ECS Journal of Solid State Science and Technology, V8, N7, c.Q3091, 2019г.
    33. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, E. B. Yakimov, V. I. Nikolaev, S. I. Stepanov, A. I. Pechnikov, A. V. Chernykh, K. D. Shcherbachev, A. S. Shikoh, A. Kochkova, A. A. Vasilev, S. J. Pearton, "Deep trap spectra of Sn-doped Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire", APL Materials, V7, N5, c.051103, 2019г.
    34. M. V. Dorokhin, V. A. Gavva, M. V. Ved', P. B. Demina, Yu M. Kuznetsov, I. V. Erofeeva, A. V. Nezhdanov, M. S. Boldin, E. A. Lantsev, A. A. Popov, V. N. Trushin, O. V. Vikhrova, A. V. Boryakov, E. B. Yakimov, N. Yu. Tabachkova, "New functional material: spark plasma sintered Si/ SiO2 nanoparticles – fabrication and properties", RSC Advances, V9, N29, c.16746, 2019г.
    35. A. Y. Polyakov, In-Hwan Lee , N. B. Smirnov , E. B. Yakimov , I. V. Shchemerov, A. V. Chernykh, A. I. Kochkova, A. A. Vasilev, P. H. Carey , F. Ren , David J. Smith, S. J. Pearton, "Defects at the surface of -Ga2O3 produced by Ar plasma exposure", APL Materials, V7, N7, c.061102, 2019г.
    36. A. Y. Polyakov, In-Hwan Lee, N. B. Smirnov, E. B. Yakimov, I. V. Shchemerov, A. V. Chernykh, A. I. Kochkova, A. A. Vasilev, F. Ren, P. H. Carey, S. J. Pearton, "Hydrogen plasma treatment of b-Ga2O3: Changes in electrical properties and deep trap spectra", Applied Physics Letters, V115, N3, c.032101, 2019г.
    37. V.I. Orlov, E.E. Yakimov, E.B. Yakimov, "Annealing and LEEBI Effects on the Stacking Fault Expansion and Shrinking in 4H‐SiC", Physica Status Solidi A, V216, N17, c.1900151, 2019г.
    38. Seham K. Abdel-Aal, Ahmed S. Abdel-Rahman, Wafia M. Gamal, Mohamed Abdel-Kader, Hany S. Ayoub, Ashraf F. El-Sherif, M. F. Kandeel, S. Bozhko, E. E. Yakimov, E. B. Yakimov, "Crystal structure, vibrational spectroscopy and optical properties of a one-dimensional organic– inorganic hybrid perovskite of [NH3CH2CH(NH3)-CH2]BiCl5", Acta Crystallographica B, V75, N, c.880, 2019г.
    39. A. Y. Polyakov, In-Hwan Lee, N. B. Smirnov, E. B. Yakimov, I. V. Shchemerov, A. V. Chernykh, A. I. Kochkova, A. A. Vasilev, A. S. Shiko, Patrick H. Carey IV, F. Ren, S. J. Pearton, "Effects of Hydrogen Plasma Treatment Condition on Electrical Properties of β-Ga2O3", ECS Journal of Solid State Science and Technology, V8, N11, c.P661, 2019г.
    40. V.I. Orlov, P.S. Vergeles, E.B. Yakimov, X. Li, J. Yang, G. Lv, S. Dong, "Estimations of Low Temperature Dislocation Mobility in GaN", Physica Status Solidi A, V216, N17, c.1900163, 2019г.
    41. Ю. О. Куланчиков, П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов, "Влияние облучения пучком низкоэнергетических электронов на вольт-фарадные характеристики структуры Al/SiO2/Si", Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, V22, N2, c.111, 2019г.
    42. N. Yarykin, J. Weber, "Electrically Active Copper–Nickel Complexes in p-Type Silicon", Physica Status Solidi A, V, N, c.1900304, 2019г.
    43. N. Yarykin, S. Lastovskii, J. Weber, "Nickel Interaction with Vacancy-Type Radiation Defects in Silicon", Physica Status Solidi RRL, V13, N5, c.1800651, 2019г.
    44. Н.А. Ярыкин, В.Б. Шуман, Л.М. Порцель, А.Н. Лодыгин, Ю.А. Астров,, Н.В. Абросимов, J. Weber, "Исследование энергетического спектра кристаллов Si : Mg методом DLTS", Физика и Техника Полупроводников, V53, N6, c.799, 2019г.
    45. O.A. Soltanovich, V.I. Orlov, N. Yarykin, E.B. Yakimov, "Room-Temperature Ni Interaction with Deformation-Induced Defects in Si: A DLTS Study", Physica Status Solidi A, V, N, c.1900326, 2019г.
    46. Ю. О. Куланчиков, П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов, "Влияние облучения пучком низкоэнергетических электронов на вольт−фарадные характеристики структуры Al/SiO2/Si", Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, V2, N22, c.112, 2019г.
    47. S.D. Lavrov , L.S. Kokhanchik , R.V. Gainutdinov , A.S. Elshin , Ya.V. Bodnarchuk , , E.D. Mishina , T.R. Volk, "Nonlinear-optical characterization of planar domain patterns written in LiNbO3 by electron-beam irradiation", Optical Materials, V75, N, c.325, 2018г.
    48. T. R. Volk, L. S. Kokhanchik, R. V. Gainutdinov, Ya. V. Bodnarchuk, S. D. Lavrov, "DOMAIN FORMATION ON THE NONPOLAR LITHIUM NIOBATE SURFACES UNDER ELECTRON-BEAM IRRADIATION:A REVIEW", Journal of Advanced Dielectrics, V8, N2, c.1830001, 2018г.
    49. Л.С.Коханчик, "Потенциальные изображения сегнетоэлектрических доменных структур в кристаллах ниобата лития после формирования электронным лучом", Физика Твердого Тела, V60, N9, c.1733, 2018г.
    50. С.М. Шандаров, Л.С. Коханчик, Т.Р. Волк, Е.Н. Савченков, М.В. Бородин, ""Преобразование спектральных характеристик лазерного излучения в периодических доменных структурах, записанных электронно-лучевым методом в планарных волноводах, сформированных диффузией Ti в LiNbO3 Y-ориентации"", Квантовая Электроника, V48, N8, c.761, 2018г.
    51. Wei Wang, Olesya O. Kapitanova, Pugazhendi Ilanchezhiyan, Sixing Xi, Gennady N. Panin, Dejun Fu and Tae Won Kang, "Self-assembled MoS2/rGO nanocomposites with tunable UV-IR absorption", RSC Advances, V8, N, c.2410, 2018г.
    52. IT Yoon, S Lee, DV Roshchupkin, GN Panin, "Influence of the Quantum Well Structure and Growth Temperature on a Five-Layer InGaMnAs Quantum", J Nanoscience and Nanotechnology, V18, N6, c.4355, 2018г.
    53. Egor A. Kolesov, Mikhail S. Tivanov, Olga V. Korolik, Olesya O. Kapitanova, Xiao Fu, Hak Dong Cho, Tae Won Kang and Gennady N Panin, "The effect of atmospheric doping on pressure-dependent Raman scattering in supported graphene", Beilstein Journal of Nanotechnology, V9, N, c.704, 2018г.
    54. A. Sattar Chan, Xiao Fu, Gennady N. Panin, Hak Dong Cho, Dong Jin Lee, and Tae Won Kang, "Shear Exfoliation and Photoresponse of 2D-Layered Gallium Selenide Nanosheets", Physica Status Solidi RRL, V12, N10, c.1800226, 2018г.
    55. Г. Н. Панин, "Мемристивные двумерные электронные системы-новый тип логических переключателей и памяти", Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника., V1, N169, c.23, 2018г.
    56. A. V. Rykov, M. V. Dorokhin, P. S. Vergeles, N. V. Baidus, V. A. Kovalskiy, E. B. Yakimov, O. A. Soltanovich, "Structural and optical characteristics of GaAs films grown on Si/Ge substrates", J Physics: Conference Series, V993, N, c.012014, 2018г.
    57. С.М. Пещерова, Е.Б. Якимов, А.И. Непомнящих, Л.А. Павлова, О.В. Феклисова, Р.В. Пресняков, ""Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии"", Физика и Техника Полупроводников, V52, N2, c.268, 2018г.
    58. Eugene B. Yakimov, Alexander Y. Polyakov, In-Hwan Lee, Stephen J. Pearton, "Recombination properties of dislocations in GaN", J Applied Physics, V123, N, c.161543, 2018г.
    59. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, I.V. Shchemerov, E.B. Yakimov, Jiancheng Yang, F. Ren, Gwangseok Yang, Jihyun Kim, A. Kuramata, S. J. Pearton, "Point defect induced degradation of electrical properties of Ga2O3 by 10MeV proton damage", Applied Physics Letters, V112, N, c.032107, 2018г.
    60. С.М. Пещерова, Е.Б. Якимов, А.И. Непомнящих, Л.А. Павлова, О.В. Феклисова, Р.В. Пресняков, "Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии", Физика и Техника Полупроводников, V52, N, c.266, 2018г.
    61. Eugene B. Yakimov, Alexander Y. Polyakov, Pavel S. Vergeles, "Temperature Dependence of Low-Energy Electron Beam Irradiation Effect on Optical Properties of MQW InGaN/GaN Structures", Physica Status Solidi B, V255, N, c.1700646, 2018г.
    62. A.A. Svintsov, A.A. Krasnov, M.A. Polikarpov, A.Y. Polyakov, E.B. Yakimov, "Betavoltaic battery performance: Comparison of modeling and experiment", Applied Radiation and Isotopes, V137, N, c.184, 2018г.
    63. E. B. Yakimov, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, Jiancheng Yang, F. Ren, Gwangseok Yang, Jihyun Kim, S. J. Pearton, "Diffusion length of non-equilibrium minority charge carriers in b-Ga2O3 measured by electron beam induced current", J Applied Physics, V123, N18, c.185704, 2018г.
    64. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, E. B. Yakimov, E. E. Yakimov, Kyu Cheol Kim, In-Hwan Lee, "Quantum Barrier Growth Temperature Affects Deep Traps Spectra of InGaN Blue Light Emitting Diodes", ECS Journal of Solid State Science and Technology, V7, N5, c.Q80, 2018г.
    65. E.B. Yakimov, E.E. Yakimov, V.I. Orlov, D. Gogova, "Some new insights into the impact of annealing on single stacking faults in 4H-SiC", Superlattiсes and Microstructures, V120, N, c.7, 2018г.
    66. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, E. B. Yakimov, S. J. Pearton,Chaker Fares, Jiancheng Yang, Fan Ren, Jihyun Kim, P. B. Lagov, V. S. Stolbunov, A. Kochkova, "Defects responsible for charge carrier removal and correlation with deep level introduction in irradiated b-Ga2O3", Applied Physics Letters, V113, N, c.092102, 2018г.
    67. П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов, "Исследование методами наведенного тока и катодолюминесценции влияния облучения электронным пучком на дефектную структуру латерально зарощенных пленок GaN", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N10, c.59, 2018г.
    68. Е. Б. Якимов, "Оценка максимальной концентрации неравновесных носителей заряда д GaN при облучении электронным пучком", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N10, c.66, 2018г.
    69. Rykov A. V., Dorokhin M. V., Vergeles P. S., Kovalskiy V. A., Yakimov E. B., Ved’ M. V., Baidus N. V., Zdoroveyshchev A. V., Shengurov V. G., Denisov S. A., "Structural investigation of light-emitting A3B5 structures grown on Ge/Si(100) substrate", J Physics: Conference Series, V1124, N, c.022037, 2018г.
    70. Орлов В.И., Ярыкин Н.А., Якимов Е.Б., "Влияние химико-механической полировки на рекомбинационные свойства протяженных дефектов в кремнии", Вестник Тамбовского университета. серия: Естественные и технические науки, V23, N, c.481, 2018г.
    71. L. S. Kokhanchik, Ya. V. Bodnarchuk, and T. R. Volk, "Electron beam domain writing in reduced LiNbO3 crystals", J Applied Physics, V122, N, c.104105, 2017г.
    72. J. Kennedy, F.Fang, J.Futter, J.Leveneur, P.P.Murmu, G.N.Panin, T.W. Kang, E. Manikandan, "Synthesis and enhanced field emission of zinc oxide incorporated carbon nanotubes", Diamond and Related Materials, V71, N, c.79, 2017г.
    73. Olesya O Kapitanova, Gennady N Panin, Hak Dong Cho, Andrey N Baranov and Tae Won Kang, "Formation of self-assembled nanoscale graphene/graphene oxide photomemristive heterojunctions using photocatalytic oxidation", Nanotechnology, V28, N, c.204005, 2017г.
    74. Sejoon Lee, Youngmin Lee, and Gennady N. Panin, "Novel Green Luminescent and Phosphorescent Material: Semiconductive Nanoporous ZnMnO with Photon Confinement", ACS Appl Mater Interfaces, V9, N24, c.20630, 2017г.
    75. Evgeny Emelin, H. D. Cho, Zeke Insepov, J. C. Lee, Tae Won Kang, Gennady Panin, Dmitry Roshchupkin, and Kurbangali Tynyshtykbayev, "SEM imaging of acoustically stimulated charge transport in solids", Applied Physics Letters, V110, N, c.264103, 2017г.
    76. Xiao Fu, P. Ilanchezhiyan, G. Mohan Kumar, Hak Dong Cho, Lei Zhang, A. Sattar Chan, Dong J. Lee, Gennady N. Panin and Tae Won Kang, "Tunable UV-visible absorption of SnS2 layered quantum dots produced by liquid phase exfoliation", Nanoscale, V9, N5, c.1820, 2017г.
    77. Benyamin Davaji, Hak Dong Cho, Mohamadali Malakoutian, Jong-Kwon Lee, Gennady Panin, Tae Won Kang & Chung Hoon Lee, "A patterned single layer graphene resistance temperature sensor", Scientific Reports, V7, N, c.8811, 2017г.
    78. Olesya O. Kapitanova, Elmar Yu. Kataev, Dmitry Yu. Usachov, Anna P. Sirotina, Alina I. Belova, Hikmet Sezen, Matteo Amati, Mohamed Al-Hada, Luca Gregoratti, Alexei Barinov, Hak Dong Cho, Tae Won Kang, Gennady N. Panin, Denis Vyalikh, Daniil M. Itkis, and Lada V. Yashina, "Laterally Selective Oxidation of Large-Scale Graphene with Atomic Oxygen", Journal of Physical Chemistry C, V121, N50, c.27915, 2017г.
    79. A.A. Krasnov, V.V. Starkov, S.A. Legotin, O.I. Rabinovich, S.I. Didenko, V.N. Murashev, V.V. Cheverikin, E.B. Yakimov, N.A. Fedulova, B.I. Rogozev, A.S. Laryushkin, "Development of betavoltaic cell technology production based on microchannel silicon and its electrical parameters evaluation", Applied Radiation and Isotopes, V121, N, c.71, 2017г.
    80. В. И. Орлов, Е. Б. Якимов, "ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ УПАКОВКИ, ВВЕДЕННЫХ В КРИСТАЛЛЫ 4H-SiC ПРИ ИНДЕНТИРОВАНИИ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N2, c.60, 2017г.
    81. In-Hwan Lee, A. Y. Polyakov, E. B. Yakimov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, S. A. Tarelkin, S. I. Didenko, K. I. Tapero, R. A. Zinovyev, S. J. Pearton, "Defects responsible for lifetime degradation in electron irradiated n-GaN grown by hydride vapor phase epitaxy", Applied Physics Letters, V110, N, c.112102, 2017г.
    82. V. I. Orlov, E. B. Yakimov, E. P. Magomedbekov, A. B. Danilin, "Study of Low Voltage Prebreakdown Sites in Multicrystalline Si Based Cells by the LBIC, EL, and EDS Methods", Advances in Condensed Matter Physics, V2017, N, c.1946490, 2017г.
    83. V.I. Orlov, E.B. Yakimov, N. Yarykin, "Dislocation trails in Si: Geometry and electrical properties", Physica Status Solidi C, V14, N7, c.1700074, 2017г.
    84. E. B. Yakimov, "Electron beam induced excess carrier concentration", Physica Status Solidi C, V14, N7, c.1600266, 2017г.
    85. A.Y. Polyakov, Jin-Hyeon Yun, A.S. Usikov, E.B. Yakimov, N.B. Smirnov, K.D. Shcherbachev, H. Helava, Y.N. Makarov, S.Y. Kurin, N.M. Shmidt, O.I. Rabinovich, S.I. Didenko, S.A. Tarelkin, B.P. Papchenko, In-Hwan Lee, "Structural, electrical and luminescent characteristics of ultraviolet light emitting structures grown by hydride vapor phase epitaxy", Modern Electronic Materials, V3, N, c.32, 2017г.
    86. V.I. Orlov, G. Regula, E.B. Yakimov, "Low temperature stacking fault nucleation and expansion from stress concentrators in 4H-SiC", Acta Materialia, V139, N, c.155, 2017г.
    87. In-Hwan Lee, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, P. B. Lagov, R. A. Zinov'ev, E. B. Yakimov, K. D. Shcherbachev, S. J. Pearton, "Point defects controlling non-radiative recombination in GaN blue light emitting diodes: Insights from radiation damage experiments", J Applied Physics, V122, N11, c.115704, 2017г.
    88. Т.Н. Фурсова, В.В. Кедров, О.Г. Рыбченко, С.З. Шмурак, Е.Б. Якимов, А.А. Мазилкин, "Сравнительное исследование спектральных и структурных характеристик микрокристаллов EuAl3(BO3)4 разной морфологии", Физика Твердого Тела, V59, N12, c.2396, 2017г.
    89. N. Yarykin, J. Weber, "Deep level centers in electron-irradiated silicon crystals doped with copper at different temperatures", Physica Status Solidi C, V14, N7, c.1600267, 2017г.
    90. N. Yarykin, J. Weber, "Nickel in silicon: Room-temperature in-diffusion and interaction with radiation defects", Physica Status Solidi C, V14, N7, c.1700005, 2017г.
    91. M.N. Palatnikov , L.S. Kokhanchik , E.V. Emelin , N.V. Sidorov , D.V. Manukovskaya, "Creation of domains by direct electron beam writing in magnesiumdoped LiNbO3 and LiNbO3:Fe single crystals", Nucl. Instrum. & Methods B, V370, N, c.107, 2016г.
    92. T. R. Volk, L. S. Kokhanchik, R. V. Gainutdinov, Ya. V. Bodnarchuk, and Feng Chen, "Electron-beam domain patterning on the nonpolar surfaces of lithium niobate crystals", Ferroelectrics, V500, N, c.129, 2016г.
    93. Sejoon Lee, Youngmin Lee, Deuk Young Kim, and Gennady N. Panin, "Multicolor Emission from Poly(p-Phenylene)/Nanoporous ZnMnO Organic-Inorganic Hybrid Light-Emitting Diode", ACS Appl Mater Interfaces, V8, N51, c.5435, 2016г.
    94. Wei Wang, Gennady N. Panin, Xiao Fu, Lei Zhang, P. Ilanchezhiyan, Vasiliy O. Pelenovich, Dejun Fu and Tae Won Kang, "MoS2 memristor with photoresistive switching", Scientific Reports, V6, N6, c.31224, 2016г.
    95. V.I. Orlov, E.B. Yakimov, N. Yarykin, "Spatial distribution of the dislocation trails in silicon", Solid State Phenomena, V242, N, c.155, 2016г.
    96. M.A. Polikarpov, E.B. Yakimov, "Characterization of Si convertors of beta-radiation in the scanning electron microscope", Solid State Phenomena, V242, N, c.312, 2016г.
    97. С.К. Брантов, А.Н. Терещенко, Э.А. Штейнман, Е.Б. Якимов, "Физические свойства пленок углерода, полученных при пиролизе метана в электрическом поле", Ж. Техн. Физики, V86, N3, c.110, 2016г.
    98. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, E. B. Yakimov, In-Hwan Lee, S. J. Pearton, "Electrical, luminescent, and deep trap properties of Si doped n-GaN grown by pendeo epitaxy", J Applied Physics, V119, N1, c.15103, 2016г.
    99. A A Krasnov, S A Legotin, V N Murashev, S I Didenko, O I Rabinovich, S Yu Yurchuk, Yu K Omelchenko, E B Yakimov, V V Starkov, "Development and investigation of silicon converter beta radiation 63Ni isotope", J Physics: Conference Series, V110, N, c.12029, 2016г.
    100. A.M. Strel’chuk, B. Berenguier, E. B. Yakimov, L. Ottaviani, "Recombination processes in 4H-SiC pn structures", Materials Science Forum, V858, N, c.345, 2016г.
    101. E.B. Yakimov, "Prediction of betavoltaic battery output parameters based on SEM measurements and Monte Carlo simulation", Applied Radiation and Isotopes, V112, N, c.98, 2016г.
    102. E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, A.Y. Polyakov, In-Hwan Lee, S.J. Pearton, "Radiation enhanced basal plane dislocation glide in GaN", Japan. J. Applied Physics, V55, N5S, c.05FM03, 2016г.
    103. E.B. Yakimov, "Diffusion length measurements in GaN", Japan. J. Applied Physics, V55, N5S, c.05FH04, 2016г.
    104. A. Y. Polyakov, Han-Su Cho, Jin-Hyeon Yun, In-Hwan Lee, E. B. Yakimov, N. B. Smirnov, K. D. Shcherbachev, "Electrical, Luminescent and Structural Properties of Nanopillar GaN/InGaN Multi-Quantum-Well Structures Prepared by Dry Etching", ECS Journal of Solid State Science and Technology, V5, N6, c.Q165, 2016г.
    105. In-Hwan Lee, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, E.B. Yakimov, S.A. Tarelkin, A.V. Turutin, I.V. Shemerov, S.J. Pearton, "Electron traps as major recombination centers in n-GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition", Applied Physics Express, V9, N6, c.061002, 2016г.
    106. In-Hwan Lee, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, E.B. Yakimov, S.A. Tarelkin, A.V. Turutin, I.V. Shemerov, S.J. Pearton, "Studies of deep level centers determining the diffusion length in epitaxial layers and crystals of undoped n-GaN", J Applied Physics, V119, N20, c.205109, 2016г.
    107. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, E.B. Yakimov, S.A. Tarelkin, A.V. Turutin, I.V. Shemerov, S.J. Pearton, Kang-Bin Bae, In-Hwan Lee, "Deep traps determining the non-radiative lifetime and defect band yellow luminescence in n-GaN", Journal of Alloys and Compounds, V686, N, c.1044, 2016г.
    108. Е. Б. Якимов, П. С. Вергелес, "СКОЛЬЖЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В ПЛЕНКАХ GaN, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЛАТЕРАЛЬНОЙ ЭПИТАКСИИ, СТИМУЛИРОВАННОЕ ОБЛУЧЕНИЕМ ЭЛЕКТРОНАМИ С НИЗКОЙ ЭНЕРГИЕЙ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.81, 2016г.
    109. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, E. B. Yakimov, Han-Su Cho, Jong Hyeob Baek, A. V. Turutin, I. V. Shemerov, E. S. Kondratyev, In-Hwan Lee, "Deep Electron Traps Responsible for Higher Quantum Efficiency in Improved GaN/InGaN Light Emitting Diodes Embedded with SiO2 Nanoparticles", ECS Journal of Solid State Science and Technology, V5, N10, c.Q274, 2016г.
    110. Ya. Shabelnikova, E. Yakimov, "Diffusion length and grain boundary recombination activity determination by means of induced current methods", Superlattiсes and Microstructures, V99, N, c.108, 2016г.
    111. . V.I. Orlov, E.B. Yakimov, "Extended defect study in Si: EBIC versus LBIC", Superlattiсes and Microstructures, V99, N, c.202, 2016г.
    112. G. Regula, E.B. Yakimov, "Effect of low energy electron beam irradiation on Shockley partial dislocations bounding stacking faults introduced by plastic deformation in 4H-SiC in its brittle temperature range", Superlattiсes and Microstructures, V99, N, c.226, 2016г.
    113. E.B. Yakimov, M.A. Polikarpov, A.A. Krasnov, "Prediction of Betavoltaic Battery Output Parameters Based on SEM Measurements", Journal of Nano-and Electronic Physics, V8, N4, c.04062, 2016г.
    114. N. Yarykin, J. Weber, "Interstitial Carbon in p-Type Copper-Doped Silicon", Solid State Phenomena, V242, N, c.302, 2016г.
    115. N. Yarykin, J. Weber, "Interaction of Interstitial Copper with Isolated Vacancies in Silicon", Solid State Phenomena, V242, N, c.308, 2016г.
    116. N. Yarykin, J. Weber, "Evidence for room-temperature in-diffusion of nickel into silicon", Applied Physics Letters, V109, N, c.102101, 2016г.
    117. Л.С. Коханчик , Р.В. Гайнутдинов , Т.Р. Волк, "Электронно-лучевая запись микродоменов на неполярной поверхности кристаллов LiNbO3 при различных ускоряющих напряжениях РЭМ", Физика Твердого Тела, V57, N5, c.937, 2015г.
    118. Л. С. Коханчик, Е. В. Емелин, М. Н. Палатников, "ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ДОМЕНОВ ПОД ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ В СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛАХ LiNbO3:Mg", Неорг. материалы, V51, N6, c.669, 2015г.
    119. L. S. Kokhanchik, R. V. Gainutdinov, S. D. Lavrov, E. D. Mishina & T. R. Volk, "E-Beam Recording of Domain Structures on the Nonpolar Surface of LiNbO3 Crystals at Different SEM Voltages and Their Investigation by PFM and SHG Microscopy", Ferroelectrics, V480, N1, c.49, 2015г.
    120. Т.Р. Волк,Р.В. Гайнутдинов,Л.С. Коханчик,Я.В. Боднарчук,Е.Д. Мишина,С.Д. Лавров,F. Chen, "Запись нано- и микродоменных структур электронным лучом в оптических волноводах, созданных в сегнетоэлектрических кристаллах методом имплантации ионов гелия", Наноматериалы и наноструктуры - XXI век, V6, N2, c.46, 2015г.
    121. L. S. Kokhanchik, R. V. Gainutdinov, S. D. Lavrov, T. R. Volk, "Characteristics of microdomains and microdomain patterns recorded by electron beam irradiation on Y-cut LiNbO3 crystals", J Applied Physics, V118, N, c.72001, 2015г.
    122. Tatyana R. Volk, Lyudmila S. Kokhanchik, Radmir V. Gainutdinov, Yadviga V. Bodnarchuk, Stanislav M. Shandarov, Maxim V. Borodin, Sergey D. Lavrov, Hongliang Liu, and Feng Chen, "Microdomain Patterns Recorded by an Electron Beam in He-Implanted Optical Waveguides on X-Cut LiNbO3 Crystals", J Lightwave Technology, V33, N23, c.4761, 2015г.
    123. Byung-Guon Park, R. Saravana Kumar, Moon-Deock Kim, Hak-Dong Cho, Tae-Won Kang, G. N. Panin, D. V. Roschupkin, D. V. Irzhak and V. N. Pavlov, "Domain matching epitaxy of GaN films on a novel langasite substrate: an in-plane epitaxial relationship analysis", CrystEngComm, V17, N, c.4455, 2015г.
    124. Lei Zhang, Lixia Fan, Gennady N. Panin, Tae Won Kang, Keyu Zheng, "Self-assembled ZnO1−xSx nanorod arrays with varied luminescent and electronic properties", Materials Letters, V148, N, c.55, 2015г.
    125. Tatiana V. Plakhova, Andrey N. Baranov, Alexander V. Knotko and Gennady N. Panin,, "Homoepitaxial Nanostructures of Zinc Oxide", J. Nanomater, V872793, N872793, c.872793, 2015г.
    126. О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов, "Влияние меди на рекомбинационную активность протяженных дефектов в кремнии", Физика и Техника Полупроводников, V49, N6, c.732, 2015г.
    127. В.И. Орлов, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов, "Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC", Физика и Техника Полупроводников, V49, N6, c.737, 2015г.
    128. С.М. Пещерова, Е.Б. Якимов, А.И. Непомнящих, Л.А. Павлова, О.В. Феклисова, "Рекомбинационная активность границ раздела в мультикристаллическом кремнии", Физика и Техника Полупроводников, V49, N6, c.741, 2015г.
    129. O. V. Feklisova, V. I. Orlov, E. B. Yakimov, "EBIC and LBIC investigations of dislocation trails in Si", Physica Status Solidi C, V12, N8, c.1081, 2015г.
    130. П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов, "Влияние облучения электронами низких энергий на оптические свойства структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN", Физика и Техника Полупроводников, V49, N2, c.149, 2015г.
    131. Т.В. Малин, А.М. Гилинский, В.Г. Мансуров, Д Ю. Протасов, А.К. Шестаков, Е.Б. Якимов, К.С. Журавлев, "Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии", Ж. Техн. Физики, V85, N4, c.67, 2015г.
    132. E.B. Yakimov, "What is the real value of diffusion length in GaN?", Journal of Alloys and Compounds, V627, N, c.344, 2015г.
    133. Я.Л. Шабельникова, Е.Б. Якимов, Д.П. Николаев, М.В. Чукалина, "Количественное описание свойств протяженных дефектов в кремнии с помощью тока, наведенного электронным и лазерным пучками", Физика и Техника Полупроводников, V49, N6, c.758, 2015г.
    134. М.А. Поликарпов, Е.Б. Якимов, "Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов", Физика и Техника Полупроводников, V49, N6, c.763, 2015г.
    135. V.F. Nasretdinova, E.B. Yakimov, S.V. Zaitsev-Zotov, "Indium doping-induced change in the photoconduction spectra of o-TaS3", Physica B, V460, N, c.180, 2015г.
    136. E. B. Yakimov, P. S. Vergeles, A. Y. Polyakov, In-Hwan Lee, S. J. Pearton, "Movement of basal plane dislocations in GaN during electron beam Irradiation", Applied Physics Letters, V106, N, c.132101, 2015г.
    137. T. Malin, A. Gilinsky, V. Mansurov, D. Protasov, E. Yakimov, K. Zhuravlev, "Minority carrier diffusion length in AlxGa1-xN (x = 0.1) grown by ammonia molecular beam epitaxy", Physica Status Solidi C, V12, N4-5, c.447, 2015г.
    138. Anatoly M. Strel’chuk, Evgeny B. Yakimov, Alexander A. Lavrent’ev, Evgenia V. Kalinina, Alexander A. Lebedev, "Characterization of 4H-SiC pn structures with unstable excess current", Materials Science Forum, V821-823, N, c.648, 2015г.
    139. Т.В. Малин, А.М. Гилинский, В.Г. Мансуров, Д.Ю. Протасов, А.С. Кожухов, Е.Б. Якимов, К.С. Журавлев, "Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах AlxGa1−xN (x = 0−0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии", Физика и Техника Полупроводников, V49, N10, c.1329, 2015г.
    140. Е. Б. Якимов, "ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛЕНОК НИТРИДОВ МЕТОДОМ НАВЕДЕННОГО ТОКА", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.81, 2015г.
    141. П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов, "ВЛИЯНИЕ ОБРАТНОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИСХОДНЫХ И ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫМ ПУЧКОМ В РЭМ СВЕТОДИОДОВ С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V9, N, c.86, 2015г.
    142. E. B. Yakimov, A. Y. Polyakov, "EBIC investigations of dislocations in ELOG GaN", Physica Status Solidi C, V12, N8, c.1132, 2015г.
    143. E.B. Yakimov, "Electrical Measurements as a Tool for Semiconductor Material Characterization", SMC Bulletin, V6, N1, c.52, 2015г.
    144. A.Y. Polyakov, J.-H. Yun, H.-K. Ahn, A.S. Usikov, E.B. Yakimov, S.A. Tarelkin , N.B. Smirnov, K.D. Shcherbachev, H.Helava, Y.N. Makarov, S.Yu. Kurin, S.I. Didenko, B.P. Papchenko, In-Hwan Lee, "Photoluminescence enhancement by localized surface plasmons in AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructures", Physica Status Solidi RRL, V9, N10, c.575, 2015г.
    145. Н.A. Ярыкин, J. Weber, "Формирование межузельного углерода в облученном легированном медью кремнии", Физика и Техника Полупроводников, V49, N6, c.728, 2015г.
    146. L. S. Kokhanchik, R. V. Gainutdinov, E. D. Mishina, S. D. Lavrov,and T. R. Volk, "Characterization of electron-beam recorded microdomain patterns on the nonpolar surface of LiNbO3 crystal by nondestructive methods", Applied Physics Letters, V105, N14, c.142901, 2014г.
    147. O.A. Soltanovich, Vl. Kolkovsky, E.B. Yakimov, J. Weber., "Metastable hydrogen-related defects in epitaxial n-GaAs studied by Laplace deep level transient spectroscopy", AIP Conference Proceedings, V1583, N, c.195, 2014г.
    148. О.А. Солтанович, Е.Б. Якимов, "Использование частотных зависимостей емкости и проводимости для характеризации процессов релаксации заряда в квантовых ямах в светоизлучающих структурах InGaN/GaN", Ученые записки Физического факультета МГУ, V, N2, c.142504, 2014г.
    149. V.I. Orlov, O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, "A Comparison of EBIC, LBIC and XBIC Methods as Tools for Multicrystalline Si Characterization", Solid State Phenomena, V205-206, N, c.142, 2014г.
    150. . Eugene B. Yakimov, Paul S. Vergeles, Alexander Y. Polyakov, Han-Su Cho, Lee-Woon Jang, In-Hwan Lee, "Microcathodoluminescence spectra evolution for planar and nanopillar multi-quantum-well GaN-based structures as a function of electron irradiation dose", Journal of Vacuum Science & Technology B, V32, N1, c.11207, 2014г.
    151. М. В. Григорьев, Д. В. Рощупкин, Р. Р. Фахртдинов, Е. Б. Якимов, "ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ УПАКОВКИ В SiC МЕТОДОМ XBIC НА ЛАБОРАТОРНОМ ИСТОЧНИКЕ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N2, c.65, 2014г.
    152. B. Pichaud, G. Regula, E.B. Yakimov, "Electrical and Optical Properties of Stacking Faults Introduced by Plastic Deformation in 4H-SiC", AIP Conference Proceedings, V1583, N, c.161, 2014г.
    153. E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, A.Y. Polyakov, Dae-Woo Jeon, In-Hwan Lee, "Low Energy Electron Beam Irradiation Effect on Optical Properties of Nanopillar MQW InGaN/GaN Structures", AIP Conference Proceedings, V1583, N, c.268, 2014г.
    154. Е.Б. Якимов, "Характеризация GaN и структур на его основе методами растровой электронной микроскопии", Ученые записки Физического факультета МГУ, V, N2, c.142501, 2014г.
    155. А А Zhokhov, А S Aronin, Е B Yakimov, G А Еmelchenko, "Carbon nanocluster growth inside micropipes during the SiC bulk growth process", Materials Research Express, V1, N, c.25038, 2014г.
    156. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, E.B. Yakimov, A.S. Usikov, H. Helava, K.D. Shcherbachev, A.V. Govorkov, Yu N. Makarov, In-Hwan Lee, "Electrical, optical, and structural properties of GaN films prepared by hydride vapor phase epitaxy", Journal of Alloys and Compounds, V617, N, c.200, 2014г.
    157. A. Y. Polyakov, E. B. Yakimov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. S. Usikov, H. Helava, Y. N. Makarov, In-Hwan Lee, "Structural defects responsible for excessive leakage current in Schottky diodes prepared on undoped n-GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy", Journal of Vacuum Science & Technology B, V32, N5, c.51212, 2014г.
    158. Е. Б. Якимов, В. И. Орлов, "НАБЛЮДЕНИЕ ДЕФЕКТОВ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, LBIC И EBIC", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.5, 2014г.
    159. С. И. Зайцев, В. Н. Павлов, В. Я. Панченко, М. А. Поликарпов, А. А. Свинцов, Е. Б. Якимов, "СРАВНЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ДЕТЕКТОРОВ БЕТА_ИЗЛУЧЕНИЯ ИЗ 63Ni, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ИЗ КРЕМНИЯ И ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.9, 2014г.
    160. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, H. Cox, A.S. Usikov, H. Helava, Y.N. Makarov, E.B. Yakimov, I.H. Lee, "DEEP TRAPS SPECTRA IN UNDOPED GAN FILMS GROWN BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY UNDER VARIOUS CONDITIONS", American J Applied Sciences, V11, N9, c.1714, 2014г.
    161. Jörg Weber, Leopold Scheffler, Vladimir Kolkovski, Nikolai Yarykin, "New Results on the Electrical Activity of 3d-Transition Metal Impurities in Silicon", Solid State Phenomena, V205-206, N, c.245, 2014г.
    162. Nikolai Yarykin, Jörg Weber, "Metastable CuVO* Complex in Silicon", Solid State Phenomena, V205-206, N, c.255, 2014г.
    163. N. Yarykin, J. Weber, "Hydrogenation of the CuPL center in silicon", Applied Physics Letters, V105, N, c.12109, 2014г.
    164. V.A. Kovalskiy, P.S. Vergeles, V.G. Eremenko, D.A. Fokin, M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, and B.N. Zvonkov, "Dislocation gliding and cross-hatch morphology formation in AIII-BV epitaxial heterostructures", Applied Physics Letters, V105, N23, c.231608, 2014г.
    165. L. S. Kokhanchik , T. R. Volk, "Domain inversion in LiNbO3 and Zn-doped LiNbO3 crystals by the electron-beam irradiation of the nonpolar Y-surface", Applied Physics B - Lasers and Optics, V110, N3, c.367, 2013г.
    166. Е.В. Емелин, А.И. Ильин, Л.С. Коханчик, "Запись доменов электронным лучом на поверхности +Z-срезов ниобата лития", Физика Твердого Тела, V55, N3, c.489, 2013г.
    167. Емелин Е.В., Коханчик Л.С., Палатников М.Н., "ПЕРИОДИЧЕСКИЕ ДОМЕННЫЕ СТРУКТУРЫ В СТЕХИОМЕТРИЧЕСКОМ НИОБАТЕ ЛИТИЯ: ФОРМИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.19, 2013г.
    168. O. Soltanovich, E. Yakimov, "Capacitance-voltage and admittance investigations of InGaN/GaN MQW LEDs: frequency dependence", Physica Status Solidi C, V10, N3, c.338, 2013г.
    169. О.В. Феклисова, Н.А. Ярыкин, J. Weber, "Кинетика отжига борсодержащих центров в кремнии, облученном электронами", Физика и Техника Полупроводников, V47, N2, c.192, 2013г.
    170. О.В. Феклисова, Х. Ю, Д. Янг, Е.Б. Якимов, "Влияние примесей металлов на рекомбинационную активность дислокаций в мультикристаллическом кремнии", Физика и Техника Полупроводников, V47, N2, c.195, 2013г.
    171. М. А. Поликарпов, Е. Б. Якимов, "ОБ ИСПОЛЬЗОВАНИИ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ТОКА, ИНДУЦИРОВАННОГО БЕТА_ИЗЛУЧЕНИЕМ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N1, c.85, 2013г.
    172. A.Y. Polyakov, Dae-Woo Jeon, A.V. Govorkov, N.B. Smirnov, V.N. Sokolov, E.A. Kozhukhova, E.B. Yakimov, In-Hwan Lee, "Properties of nanopillar structures prepared by dry etching of undoped GaN grown by maskless epitaxial overgrowth", Journal of Alloys and Compounds, V554, N, c.258, 2013г.
    173. М. В. Григорьев, Р. Р. Фахртдинов, Д. В. Иржак, Д. В. Рощупкин, Е. Б. Якимов, "МЕТОД XBIC НА ЛАБОРАТОРНОМ ИСТОЧНИКЕ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ", Известия РАН, сер. Физическая, V77, N1, c.26, 2013г.
    174. A. Y. Polyakov, Dae-Woo Jeon, In-Hwan Lee, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova, E. B. Yakimov, "Electrical properties of undoped GaN films grown by maskless epitaxial lateral overgrowth", J Applied Physics, V113, N, c.83712, 2013г.
    175. P. S. Vergeles, N. M. Shmidt, E. B. Yakimov, "Role of extended defects in the transformation of InGaN/GaN multiple quantum well structure optical properties under low energy electron beam irradiation", Physica Status Solidi C, V10, N3, c.464, 2013г.
    176. E.B. Yakimov, "Low energy electron irradiation effect on optical and electrical properties of InGaN/GaN multiple quantum well structures", Int. Journal of Nanoparticles, V6, N2/3, c.191, 2013г.
    177. П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов, "ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ СПЕКТРА КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ОБЛУЧЕННЫХ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.38, 2013г.
    178. Е. Б. Якимов, "Исследование дефектов упаковки в 4H-SiC методом наведенного тока", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.50, 2013г.
    179. В. Н. Павлов, В. Я. Панченко, М. А. Поликарпов, А. А Свинцов, Е. Б. Якимов, "Моделирование тока, индуцированного бета-излучением из Ni63", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.46, 2013г.
    180. Я. Л. Шабельникова, Е. Б. Якимов, "СКОРОСТЬ ГЕНЕРАЦИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА СФОКУСИРОВАННЫМ РЕНТГЕНОВСКИМ ПУЧКОМ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.53, 2013г.
    181. E. B. Yakimov, G. Regula, B. Pichaud, "Cathodoluminescence and electron beam induced current investigations of stacking faults mechanically introduced in 4H-SiC in the brittle domain", J Applied Physics, V114, N8, c.84903, 2013г.
    182. Н.А. Ярыкин, J. Weber, "Идентификация медных и медь–водородных комплексов в кремнии", Физика и Техника Полупроводников, V47, N2, c.239, 2013г.
    183. N. Yarykin, J. Weber, "Deep levels of copper-hydrogen complexes in silicon", Physical Review B, V88, N, c.85205, 2013г.
    184. Л.С. Коханчик, M.Н. Палатников, О.Б. Щербина, "РЕГУЛЯРНЫЕ ДОМЕННЫЕ СТРУКТУРЫ СОЗДАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ В СТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ LINBO3", Физика Твердого Тела, V54, N5, c.905, 2012г.
    185. Lyudmila S. Kokhanchik, Maxim V. Borodin, Nikolay I. Burimov, Stanislav M. Shandarov, Vesta V. Shcherbina, and Tatyana R. Volk, "Surface Periodic Domain Structures for Waveguide Applications", IEEE Trans. Ultrasonic Ferroelectrics, V59, N6, c.1076, 2012г.
    186. О.А. Солтанович, Е.Б. Якимов, "Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами", Физика и Техника Полупроводников, V46, N12, c.1597, 2012г.
    187. О.В. Феклисова, Х. Ю, Д. Янг, Е.Б. Якимов, "Влияние загрязнения железом на контраст протяженных дефектов в мультикристаллическом кремнии в режиме наведенного тока.", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N11, c.31, 2012г.
    188. O.V. Feklisova, X.Yu, D. Yang, E.B.Yakimov, "Effect of metal contamination on recombination properties of extended defects in multicrystalline Si", Physica Status Solidi C, V9, N10-11, c.1942, 2012г.
    189. Я.Л. Шабельникова, Е.Б. Якимов, М.В. Григорьев, Р.Р. Фахртдинов, В.А. Бушуев, "Расчет контраста протяженных дефектов в методе индуцированного рентгеновским пучком тока", Письма в ЖТФ, V38, N20, c.1, 2012г.
    190. Я. Л. Шабельникова, Е. Б. Якимов, "СРАВНЕНИЕ КОНТРАСТА ДИСЛОКАЦИЙ И ГРАНИЦ ЗЕРЕН В МЕТОДАХ XBIC И НАВЕДЕННОГО ТОКА", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N11, c.27, 2012г.
    191. П. С. Вергелес, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов, "ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫМ ПУЧКОМ В РЭМ НА КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ И НАВЕДЕННЫЙ ТОК В InGaN/GaN СВЕТОДИОДАХ С ЗАГЛУБЛЕННОЙ АКТИВНОЙ ОБЛАСТЬЮ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N11, c.22, 2012г.
    192. Е. Б. Якимов, "ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ВЫСОКИМ ПРОСТРАНСТВЕННЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ МЕТОДАМИ РЭМ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N11, c.18, 2012г.
    193. A. Y. Polyakov, Dae-Woo Jeon, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova, E. B. Yakimov, In-Hwan Lee, "Electrical and luminescent properties and deep traps spectra in GaN nanopillar layers prepared by dry etching", J Applied Physics, V112, N7, c.73112, 2012г.
    194. L.S. Kokhanchik, M.V. Borodin , N.I. Burimov, S.M. Shandarov, and V.V. Shcherbina, "Planar Domain Gratings Fabricated by a Set of Local E-beam Irradiations on the Y-cuts of LiNb03 and in the Planar Waveguide Ti:LiNbO3", Ferroelectrics, V411, N, c.71, 2011г.
    195. L.S.Kokhanchik , M.N.Palatnikov , O.B.Shcherbina, "Ferroelectric domains in near-stoichiometric LiNbO3 by e-beam polarization reversal", Phase Transitions, V84, N9-10, c.797, 2011г.
    196. Shandarov, S.M.; Borodin, M.V.; Shcherbina, V.V.; Serebrennikov, L.Ya.; Burimov, N.I.; Pechenkin, A.Yu.; Anisimov, D.O.; Kokhanchik, L.S.; Kuznetsova, S.A.; Kozik, V.V., "Planar domain structures formed by electron-beam poling in Y- and X-cut LiNbO3 and waveguides Zn:LiNbO3", IEEE Int. Symp. on the Applications of Ferroelectrics (ISAF), 2010, V, N, c.5712226, 2011г.
    197. O.A. Солтанович, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов, "Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами", Физика и Техника Полупроводников, V45, N2, c.226, 2011г.
    198. О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов, "ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛАСТИЧЕСКИ ДЕФОРМИРОВАННОГО КРЕМНИЯ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ С ПРИМЕСЬЮ ЖЕЛЕЗА", Физика Твердого Тела, V53, N6, c.1175, 2011г.
    199. Sergey Brantov, Olga Feklisova, Eugene Yakimov, "Characterization of silicon ribbon by the SEM methods", Physica Status Solidi C, V8, N4, c.1384, 2011г.
    200. R.R. Fahrtdinov, O.V. Feklisova, M.V. Grigoriev, D.V. Irzhak, D.V. Roshchupkin, E.B. Yakimov, "XBIC Investigation of the Grain Boundaries in Multicrystalline Si on the Laboratory X-ray Source", Solid State Phenomena, V178-179, N, c.226, 2011г.
    201. С.К. Брантов, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов, "Исследования электрических свойств лент кремния методами РЭМ.", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N10, c.42, 2011г.
    202. E.B.Yakimov, O.V. Feklisova, S.K.Brantov, "Recombination activity of twin boundaries in silicon ribbons", Solid State Phenomena, V, N178-179, c.106, 2011г.
    203. R. R. Fahrtdinov, O. V. Feklisova, M. V. Grigoriev, D. V. Irzhak, D. V. Roshchupkin, E. B. Yakim, "X-ray beam induced current method at the laboratory x-ray source", Rev. Scientific Instruments, V82, N9, c.93702, 2011г.
    204. Б.Я. Бер, Л.В. Богданова , А.А. Грешнов, А.Л. Закгейм, Д.Ю. Казанцев, А.П.Карташова, А.С. Павлюченко, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов, "Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN светодиодов", Физика и Техника Полупроводников, V45, N3, c.425, 2011г.
    205. N.M. Shmidt, P.S. Vergeles, E.E. Yakimov, E.B. Yakimov, "Effect of low-energy electron irradiation on the cathodoluminescence of multiple quantum well (MQW) InGaN/GaN structures", Solid State Communications, V151, N1, c.208, 2011г.
    206. P. S. Vergeles, N. M. Shmidt, E. E. Yakimov, E. B. Yakimov, "Effect of low energy electron irradiation on optical properties of InGaN/GaN light emitting structures", Physica Status Solidi C, V8, N4, c.1265, 2011г.
    207. A. N. Gruzintsev, A. N. Red’kin, E. E. Yakimov, E. B. Yakimov, "Cathodoluminescence study of individual ZnO nanorods", Physica Status Solidi C, V8, N4, c.1403, 2011г.
    208. P S Vergeles, E B Yakimov, "EBIC investigation of InGaN/GaN multiple quantum well structures irradiated with low energy electrons", J Physics: Conference Series, V281, N, c.12013, 2011г.
    209. E A Steinman, E B Yakimov, K N Filonov, A N Tereshchenko, "Luminescence of SiC films grown by a vapor phase reaction", J Physics: Conference Series, V281, N, c.12019, 2011г.
    210. Ф.А. Лукьянов, Э.И. Рау, Р.А. Сеннов, Е.Б. Якимов, С.И. Зайцев, "Усовершенствованный метод измерения диаметра и распределения плотности тока в кроссовере электронного зонда", Заводская лаборатория. Диагностика материалов, V77, N3, c.39, 2011г.
    211. In-Hwan Lee, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova, E. B. Yakimov, N. G. Kolin, V. M. Boiko, A. V. Korulin, S. J. Pearton, "Neutron doping effects in epitaxially laterally overgrown n-GaN", Applied Physics Letters, V98, N21, c.212107, 2011г.
    212. А. Н. Грузинцев, В. Т. Волков, Е. Е. Якимов, Е. Б. Якимов, "Исследование фото- и катодолюминесценции пленок ZnO", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N8, c.70, 2011г.
    213. E.B.Yakimov, O.V. Feklisova, S.K. Brantov, "Recombination Activity of Twin Boundaries in Silicon Ribbons", Solid State Phenomena, V178-179, N, c.106, 2011г.
    214. П. С. Вергелес, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов, "ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ОБЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫМ ПУЧКОМ В РЭМ НА КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ И НАВЕДЕННЫЙ ТОК В СТРУКТУРАХ С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N10, c.33, 2011г.
    215. N. Yarykin, J. Weber, "Formation of Copper-Related Deep-Level Centers in Irradiated p-Type Silicon", Solid State Phenomena, V178-179, N, c.154, 2011г.
    216. N. Yarykin, J. Weber, "Copper-related deep-level centers in irradiated p-type silicon", Physical Review B, V83, N, c.125207, 2011г.
    217. Н.А. Ярыкин, "Комментарий к статье Е.А. Татохина, А.В. Каданцева, А.Е. Бормонтова и В.Г. Задорожнего 'Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках'", Физика и Техника Полупроводников, V45, N6, c.852, 2011г.
    218. L. S. Kokhanchik; M. V. Borodin; N. I. Burimov; S. M. Shandarov; V. V. Shcherbina; V. M. Shandarov, L.Ya.Serebrennikov, T.R.Volk, "Optical Investigations of Periodical Domain Structures Created by E-Beam", Ferroelectrics, V399, N, c.135, 2010г.
    219. В.В.Щербина, С.М.Шандаров, Д.О.Анисимов, Н.И. Буримов, М.В.Бородин,Л.Я. Серебренников, А.Ю. Печенкин, С.А. Смычков, Л.С. Коханчик, В.В. Козик, С.А.Кузнецова, "Визуализация периодически поляризованных структур в кристаллах ниобата лития и в планарных волноводах на ниобате лития", Известия ВУЗов. Физика, V, N9, c.187, 2010г.
    220. L.S. Kokhanchik,S.M.Schandarov,M.V.Borodin, V.V.Shcherbina,N.I.Burimov, A.Ya.Pechenkin,S.A.Kuznetsova, V.V. Kozik,D.O. Anisimov, "Planar periodically poled structures formed by e-beam on the lithium niobate substrates for waveguide application", Pacific Science Review, V12, N1, c.109, 2010г.
    221. Коханчик Л.С., Иржак Д.В, "Формирование регулярных доменных структур и особенности переключения спонтанной поляризации в кристаллах танталата лития при дискретном облучении электронами", Физика Твердого Тела, V52, N2, c.285, 2010г.
    222. Л.С. Коханчик , М.В. Бородин , С.М. Шандаров, Н.И. Буримов, В.В. Щербина, Т.Р. Волк, "Периодические доменные структуры, сформированные электронным лучом в пластинах LiNbO3 и планарных волноводах Ti:LiNbO3 Y-ориентации", Физика Твердого Тела, V52, N8, c.1602, 2010г.
    223. L.S. Kokhanchik ,M.N.Palatnikov, O.B.Shcherbina, "Investigation of Periodic Domain Structures in LiNbO3:Gd Single Crystals", Ferroelectrics, V398, N, c.98, 2010г.
    224. Л. С. Коханчик, М. Н. Палатников, О. Б. Щербина, "Периодические доменные структуры, сформированные при выращивании монокристаллов LiNbO3 легированных гадолинием", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.42, 2010г.
    225. Анисимов Д.О., Бородин М.В., Щербина В.В., Шандаров С.М., Коханчик Л.С., ""ВИЗУАЛИЗАЦИЯ ПЕРИОДИЧЕСКИХ ДОМЕННЫХ СТРУКТУР, СФОРМИРОВАННЫХ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ В КРИСТАЛЛАХ X- И YCРЕЗОВ НИОБАТА ЛИТИЯ"", СБОРНИК ТРУДОВ МЕЖДУНАРОДНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ и СЕМИНАРОВ. Т.1 'Фундаментальные проблемы оптики - 2010', V1, N, c.135, 2010г.
    226. S.K.Brantov, A.V.Eltzov, O.V. Feklisova, E.B.Yakimov, "SEM characterization of silicon layers grown on carbon foil", Solid State Phenomena, V156-158, N, c.473, 2010г.
    227. N. Yarykin, O. Feklisova, "Comparative study of electrical and optical properties of plastically deformed silicon", Solid State Phenomena, V156-158, N, c.425, 2010г.
    228. E. B. Yakimov, "Simulation of XBIC Contrast of Precipitates in Si", Solid State Phenomena, V156-158, N, c.247, 2010г.
    229. Е.Б.Якимов, Н.А.Соболев, "Исследование безызлучательной рекомбинации в кремниевых светодиодах с краевой люминесценцией методом аведенного тока (EBIC)", Физика и Техника Полупроводников, V44, N9, c.1280, 2010г.
    230. Е.Б. Якимов, "Сравнение контраста протяженных дефектов в методах XBIC и наведенного тока", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.10, 2010г.
    231. С.С. Борисов, П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов, "Исследование индуцированной электронным пучком проводимости в тонких пленках окиси кремния", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.62, 2010г.
    232. E. B. Yakimov, "Comment on “Carrier recombination near threading dislocations in GaN epilayers by low voltage cathodoluminescence” [Appl. Phys. Lett. 89, 161905 (2006)]", Applied Physics Letters, V97, N16, c.166101, 2010г.
    233. N. Yarykin, N.V. Abrosimov, "Defect generation during plastic deformation of Si-rich Cz-grown SiGe crystals", Solid State Phenomena, V156-158, N, c.295, 2010г.
    234. Н.А. Ярыкин, J. Weber, "Взаимодействие примеси меди с радиационными дефектами в легированном бором кремнии", Физика и Техника Полупроводников, V44, N8, c.1017, 2010г.
    235. Д.В. Иржак, Л.С. Коханчик, Д.В. Рощупкин, Д.В. Пунегов, "Изучение особенностей кристаллов ниобата лития вблизи доменных границ", Физика Твердого Тела, V51, N7, c.1412, 2009г.
    236. Л.С.Коханчик, "THE USE OF SURFACE CHARGING IN THE SEM FOR LITHIUM NIOBATE DOMAIN STRUCTURE INVESTIGATION", MICRON, V40, N1, c.41, 2009г.
    237. Irzhak Dmitry, Roshchupkin Dmitry and Kokhanchik Lyudmila, "X-Ray Diffraction on a LiNbO3 Crystal with a Short Period Regular Domain Structure", Ferroelectrics, V391, N1, c.122, 2009г.
    238. Kokhanchik L. S. and Irzhak D. V., "Domain Structure Fabrication in Z and Y-cuts of LiTaO3 Crystals by Point e-beam Writing in the SEM", Ferroelectrics, V390, N1, c.87, 2009г.
    239. O.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, E.V. Erofeev, V.A. Kagadei, J. Weber, "One more deep level related to the metastable hydrogen-related defects in n-GaAs epilayers", Physica B, V404, N23-24, c.5096, 2009г.
    240. О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов, "Влияние протяженных дефектов на диффузию золота в пластически деформированном кремнии", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N8, c.45, 2009г.
    241. O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, "Effect of dislocation trails on gold diffusion in Si", Physica Status Solidi C, V6, N8, c.1823, 2009г.
    242. O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, L.V. Arapkina, V.A. Yuryev, V.P. Kalinushkin, V.A. Chapnin, K.V. Chizh, "Capacitance investigation of Ge nanoclusters on a silicon (001) surface grown by MBE at low temperature", Physica B, V404, N, c.4705, 2009г.
    243. O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, "An application of gold diffusion for defect investigation in silicon", Physica B, V404, N, c.4681, 2009г.
    244. П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов, "Исследование ширины изображения дислокаций в режиме наведенного тока в пленках GaN и структурах на их основе", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N1, c.71, 2009г.
    245. E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, A.V. Govorkov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, In-Hwan Lee, Cheul Ro Lee, S.J. Pearton, "EBIC and CL studies of ELOG GaN films", Superlattiсes and Microstructures, V45, N4-5, c.308, 2009г.
    246. A.E. Chernyakov, M.M. Sobolev, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov, "Nonradiative recombination dynamics in InGaN/GaN LED defect system", Superlattiсes and Microstructures, V45, N4-5, c.301, 2009г.
    247. E.I. Baranov, B.Y. Ber , A.P. Vasil'ev, A.E. Chernyakov, A.G. Kolmakov, D.Yu. Kazanthev, V.V. Mikhrin, N.A. Maleev, A.M. Nadtochy, V.N. Petrov, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov, "Surface monitoring of HEMT structures", Superlattiсes and Microstructures, V45, N4-5, c.332, 2009г.
    248. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, H. Amano, T. Kawashima, "Electrical properties and deep traps spectra in undoped M-plane GaN films prepared by standard MOCVD and by selective lateral overgrowth", J Crystal Growth, V311, N10, c.2923, 2009г.
    249. E. B. Yakimov, "Profile of EBIC dislocation contrast in semiconductors with small diffusion length", Physica Status Solidi C, V6, N8, c.1983, 2009г.
    250. E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, A.V. Govorkov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, In-Hwan Lee, Cheul Ro Lee, S.J. Pearton, "EBIC investigations of defect distribution in ELOG GaN films", Physica B, V404, N, c.4916, 2009г.
    251. N.S. Averkiev, A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, P.V. Petrov, E.B. Yakimov, N.M. Shmidt, E.I. Shabunina, "Two channels of non-radiative recombination in InGaN/GaN LEDs", Physica B, V404, N23-24, c.4896, 2009г.
    252. O.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, E.V. Erofeev, V.A. Kagadei, J. Weber, "One more deep level related to the metastable hydrogen-related defects in n-GaAs epilayers", Physica B, V404, N, c.5096, 2009г.
    253. Астахов В.П., Зиновьев В.Г., Карпов В.В., Максимов А.Д., Якимов Е.Б., "ИССЛЕДОВАНИЕ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ МАЛОРАЗМЕРНЫХ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР НА КРИСТАЛЛАХ InSb МЕТОДОМ НАВЕДЁННОГО ТОКА", Вест. Нижегородского Университета, V, N6, c.56, 2009г.
    254. N. Yarykin, "Minority-carrier-enhanced dissociation of the boron-hydrogen pair in silicon", Physica B, V404, N23-24, c.5093, 2009г.
    255. N. Yarykin, J. Weber, "DLTS study of the oxygen dimer formation kinetics in silicon", Physica B, V404, N23-24, c.4576, 2009г.
    256. Л.С.Коханчик, Д.В.Иржак, В.В. Антипов, "Характеризация периодических доменных структур в кристаллах ниобата лития методами растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифракции", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N7, c.41, 2008г.
    257. L.S.Kokhanchik, D.V. Punegov, "The possibility of planar periodic domain structures engineering on the Y-cut surfaces of LiTaO3 crystals by e-beam point writing", Ferroelectrics, V373, N, c.69, 2008г.
    258. L.S.Kokhanchik, D.V. Punegov, "Micro-scale domain structure formation by e-beam point writing on the Y cut surfaces of LiTaO3 crystals", Proceedings of SPIE, V7025, N, c.70250, 2008г.
    259. R. Zhang, G.A. Rozgonyi, E. Yakimov, N. Yarykin, M. Seacrist, "Impact of thermal annealing on deep-level defects in strained-Si/SiGe heterostructure", J Applied Physics, V103, N, c.103506, 2008г.
    260. E. B. Yakimov, "EBIC Investigations of Deformation Induced Defects in Si", Solid State Phenomena, V131-133, N, c.529, 2008г.
    261. E. B. Yakimov,P. S. Vergeles,,A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, In-Hwan Lee, Cheul Ro Lee, S. J. Pearton, "Donor nonuniformity in undoped and Si doped n-GaN prepared by epitaxial lateral overgrowth", Applied Physics Letters, V92, N, c.42118, 2008г.
    262. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, E. B. Yakimov, P. S. Vergeles, In-Hwan Lee and Cheul Ro Lee, S. J. Pearton, "Effects of laterally overgrown n-GaN thickness on defect and deep level concentrations", Journal of Vacuum Science & Technology B, V26, N, c.990, 2008г.
    263. В. П. Астахов, В. В. Карпов, В. В. Крапухин, А. Д. Максимов, А. Г. Падалко, О. Н. Пашкова,Е. Б. Якимов, "Исследование планарных фотодиодных структур на пленках InSb, полученных на сапфире методом продольной кристаллизации", Прикладная Физика, V, N3, c.114, 2008г.
    264. E.B. Yakimov, "EBIC characterization of light emitting structures containing InGaN/GaN MQW", Springer Proceedings in Physics, V120, N, c.481, 2008г.
    265. П.С. Вергелес, А.В. Говорков, А.Я. Поляков, Н.Б. Смирнов, Е.Б. Якимов, "Исследование пленок GaN, полученных методом латерального заращивания, методом наведенного тока", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.14, 2008г.
    266. E.B. Yakimov, V.V. Privezentsev, "SEM-EBIC investigation of silicon, compensated by zinc during high temperature diffusion annealing", Journal of Materials Science: Materials in Electronics, V19, N1s, c.277, 2008г.
    267. Nikolai Yarykin, "Oxygen dimers and related defects in plastically deformed silicon", Solid State Phenomena, V131, N, c.161, 2008г.
    268. Nikolai Yarykin, "Centers with low correlation energy in deep-level transient spectroscopy studies", Semicond Science Technol, V23, N12, c.125031, 2008г.
    269. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, E. B. Yakimov, P. S. Vergeles, In-Hwan Lee and Cheul Ro Lee, S. J. Pearton, "Effects of laterally overgrown n-GaN thickness on defect and deep level concentrations", Journal of Vacuum Science & Technology B, VV26, N, c.990, 2008г.
    270. Коханчик Л.С., "Зарядовый контраст сегнетоэлектрических границ в сегнетоэластике молибдат тербия", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N7, c.1, 2007г.
    271. L.S.Kokhanchik , B.K. Ponomarev, "Influence of the Electron Irradiation on Ferroelectric Domain and Domain Boundary Potential State in Ferroelastic Crystal Tb2(MoO4)3", Ferroelectrics, V359, N, c.61, 2007г.
    272. Kokhanchik L.S., Irzhak D.V, "Investigation of Periodic Domain Structures in Lithium Niobate Crystals", Ferroelectrics, V352, N, c.134, 2007г.
    273. A.A. Greshnov, A.E. Chernyakov, B.Y. Ber, D.V. Davydov, A.P. Kovarskyi, N.M.Shmidt, F.M. Snegov, O.A. Soltanovich, P.S. Vergeles, E.B. Yakimov, "Comparative Study of Quantum Efficiency of Blue LED with Different Nanostructural Arrangement", Physica Status Solidi C, V4, N8, c.2981, 2007г.
    274. O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, "Electrical properties of dislocation trails in n-Si", Physica Status Solidi C, V4, N8, c.3105, 2007г.
    275. О.В. Феклисова, А.Н. Терещенко, Э.А. Штейнман, Е.Б.Якимов, "Исследования электрических и оптических свойств кремния, содержащего кислородные преципитаты", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N7, c.38, 2007г.
    276. П.С. Вергелес, В.В.Крапухин, Е.Б. Якимов, "Исследование резистивных фоточувствительных элементов на основе HgCdTe методом наведенного тока", Физика и Техника Полупроводников, V41, N2, c.242, 2007г.
    277. E.B. Yakimov, R.H. Zhang, G.A. Rozgonyi, M. Seacrist, "EBIC characterization of strained Si/SiGe heterostructures", Физика и Техника Полупроводников, V41, N4, c.417, 2007г.
    278. V.V. Krapukhin, P.S. Vergeles, E.B. Yakimov, "Simulation and measurements of EBIC images of photoconductive elements based on HgCdTe", Физика и Техника Полупроводников, V41, N4, c.422, 2007г.
    279. Yakimov E.B., Borisov S.S., Zaitsev S.I., "EBIC measurements of small diffusion length in semiconductor structures", Физика и Техника Полупроводников, V41, N4, c.426, 2007г.
    280. Shmidt N.M., Vergeles P.S., Yakimov E.B., "EBIC characterization of light emitting structures based on GaN", Физика и Техника Полупроводников, V41, N4, c.501, 2007г.
    281. E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, In-Hwan Lee, Cheul Ro Lee, S.J. Pearton, "Spatial variations of doping and lifetime in epitaxial laterally overgrown GaN", Applied Physics Letters, V90, N15, c.152114, 2007г.
    282. В.П. Астахов, М.В. Астахов, В.В. Карпов, Е.Б. Якимов, "Исследование планарных фотодиодных структур на кристаллах InSb методом наведённого тока", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N1, c.50, 2007г.
    283. L. Ottaviani, D. Barakel, E. Yakimov, M. Pasquinelli, "Electrical Characterisation of 4H-SiC Epitaxial Samples Treated by Hydrogen or Helium", Materials Science Forum, V556-557, N, c.347, 2007г.
    284. С.А.Бельник, П.С.Вергелес, Н.М.Шмидт, Е.Б.Якимов, "Дефекты со светлым контрастом в режиме наведенного тока в светоизлучающих структурах на основе GaN", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N7, c.34, 2007г.
    285. A.Y. POLYAKOV, N.B. SMIRNOV, A.V. GOVORKOV, A.V. MARKOV, E.B. YAKIMOV, P.S. VERGELES, N.G. KOLIN, D.I. MERKURISOV, V.M. BOIKO, IN-HWAN LEE, CHEUL-RO LEE, S.J. PEARTON, "Neutron Radiation Effects in Epitaxially Laterally Overgrown GaN Films", J Electronic Mater., V36, N10, c.1320, 2007г.
    286. Е.Д. Васильева, А.Л. Закгейм, Ф.М. Снегов, А.Е. Черняков, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов, "НЕКОТОРЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ДЕГРАДАЦИИ СИНИХ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ InGaN/GaN", Светотехника, V, N5, c.30, 2007г.
    287. N.M. Shmidt, A.N. Titkov, E.B. Yakimov, "Diffusion length and effective carrier lifetime in III-nitrides", Int. J Nanoscience, V6, N5, c.323, 2007г.
    288. Eremenko V, Yakimov E, Abrosimov N,, "Structure and Recombination Properties of the Extended Defects in the Dislocation Slip Planes in Silicon", Physica Status Solidi C, V4, N8, c.3100, 2007г.
    289. Е.Б. Якимов, В.В. Привезенцев, "Исследования кремния с примесью цинка методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе", Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, V, N4, c.71, 2007г.
    290. N. Yarykin, E. Hieckmann, V. I. Vdovin, "Oxygen gettering at defects introduced by plastic deformation in silicon", Physica Status Solidi C, V43, N8, c.3070, 2007г.
    291. N. Yarykin, J. Weber, "Properties and identification of an oxygen-related radiation defect in silicon", Physica B, V401-402, N, c.483, 2007г.
    292. Л. С. Коханчик , Б. К. Пономарев, "НЕМОНОТОННАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ПОТЕНЦИАЛА, НАВЕДЕННОГО ЭЛЕКТРОННЫМ ЗОНДОМ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДОМЕНАХ МОЛИБДАТА ТЕРБИЯ", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N12, c.1, 2006г.
    293. О.В. Феклисова, Е.Б.Якимов, "Измерения диффузионной длины в пластически деформированном кремнии с высокой плотностью дислокаций", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.66, 2006г.
    294. Jinggang Lu, Renhua Zhang, George Rozgonyi, Eugene Yakimov, Nikolai Yarykin, Mike Seacrist, "Threading vs Misfit Dislocations in Strained Si/SiGe Heterostructures: Preferential Etching and Minority Carrier Transient Spectroscopy", ECS Transactions, V2, N2, c.569, 2006г.
    295. Н.М.Шмидт, Е.Б.Якимов, "Диффузионная длина неравновесных носителей заряда и ее связь со структурной организацией нитридов III группы", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., V, N9, c.61, 2006г.
    296. N. Yarykin, R. Zhang, G. Rozgonyi, "Characterization of strained-Si/SiGe/Si heterostructures with capacitance methods", Proceedings of SPIE, V6260, N, c.626017, 2006г.
    297. Коханчик Л.С., Пономарев Б.К, "Количественное определение выхода вторичных электронов с поверхности сегнетоэлектрических доменов", Заводская лаборатория. Диагностика материалов, V71, N6, c.24, 2005г.
    298. Л. С. Коханчик, Б. К. Пономарёв, "Изменение состояния поверхности сегнетоэлектрических доменов при облучении электронами в РЭМ", Известия РАН, сер. Физическая, V69, N4, c.454, 2005г.
    299. N. M. Shmidt, V. V. Sirotkin, A. A. Sitnikova, O. A. Soltanovich, R. V. Zolotareva, E. B. Yakimov, "SEM/EBIC investigations of extended defect system in GaN epilayers", Physica Status Solidi C, V2, N6, c.1797, 2005г.
    300. О. В. Феклисова, Е.Б.Якимов, "Исследования дислокаций и следов за дислокациями в Si методом наведенного тока", Известия РАН, сер. Физическая, V69, N4, c.459, 2005г.
    301. Н.А.Соболев , А.М.Емельянов, Е.И.Шек, О.В.Феклисова, Е.Б.Якимов, "Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, подвергнутых деформации", Физика и Техника Полупроводников, V39, N10, c.1271, 2005г.
    302. O.V. Feklisova, B. Pichaud, E.B. Yakimov, "Annealing effect on the electrical activity of extended defects in plastically deformed p-Si with low dislocation density", Physica Status Solidi A, V202, N5, c.896, 2005г.
    303. N.A. Sobolev, A.M. Emel`yanov, E.I. Shek, O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, T.V. Kotereva, "Influence of the deformation on the luminescence properties of Si light-emitting diodes", Physica Status Solidi C, V2, N6, c.1842, 2005г.
    304. O. V. Feklisova, E. B. Yakimov, "EBIC and DLTS study of deformation induced defect thermal stability in n-Si", Solid State Phenomena, V108-109, N, c.567, 2005г.
    305. E.B. Yakimov, "EBIC and DLTS characterization of pure Si crystals", Bull Materials Science, V28, N4, c.367, 2005г.
    306. В. В. Сироткин, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов, "Исследование характеристик объектов с нанометровыми размерами в пленках GaN методом наведенного тока", Известия РАН, сер. Физическая, V69, N4, c.463, 2005г.
    307. О.В. Смолин, Е.В. Сусов, Е,Б. Якимов, "Исследование фоточувствительных резистивных элементов в РЭМ в режиме наведенного тока", Известия РАН, сер. Физическая, V69, N4, c.466, 2005г.
    308. Н.Н. Негуляев, Е.Б. Якимов, С.И. Зайцев, "КРИТЕРИИ ПРИМЕНИМОСТИ ПРИБЛИЖЕНИЯ СЛАБОЙ ГЕНЕРАЦИИ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ДИФФУЗИОННЫМИ ДЛИНАМИ СВЫШЕ 10 МКМ В ОДНОЭЛЕКТРОДНОЙ СХЕМЕ ФОРМИРОВАНИЯ СИГНАЛА В МЕТОДЕ НАВЕДЕННОГО ТОКА", Известия РАН, сер. Физическая, V69, N4, c.470, 2005г.
    309. Nikolay N. Negulyaev, Eugene B. Yakimov, Sergey I. Zaitsev, "Simulation of uncharged dislocation EBIC contrast at high excitation level", Physica Status Solidi C, V2, N6, c.1822, 2005г.
    310. E. B. Yakimov, "Study of Au diffusion in nitrogen-doped FZ Si", Solid State Phenomena, V108 – 109, N, c.241, 2005г.
    311. N. Yarykin, V. I. Vdovin, "Decay of oxygen solid solution in plastically deformed silicon", Physica Status Solidi A, V202, N, c.921, 2005г.
    Монографии
    1. E B Yakimov, A Y Polyakov, "Defects and carrier lifetimes in Ga2O3. In: Wide Bandgap Semiconductor-Based Electronics. Ed. Fan Ren and Stephen J Pearton", IOP Publishing, Bristol, UK, 2020г., печ.л.:2.438
    2. Yakimov E.B., "Metal Impurities and Gettering in Crystalline Silicon. In: Yang D. (ed) Handbook of Photovoltaic Silicon", Springer, Berlin, Heidelberg, 2019г., печ.л.:2.875
    3. Gennady N. Panin and Olesya O. Kapitanova, "Memristive Systems Based on Two-Dimensional Materials, Advances in Memristor Neural Networks - Modeling and Applications", Intechopen, London, 2018г., печ.л.:1.400
    4. Ольга Щербина, Михаил Палатников, Людмила Коханчик, "Синтез, свойства кристаллов LiNbO3 и LiTaO3 с микро- и наноструктурами.", Lambert Academic Publishing, 2013г., печ.л.:10.500
    Патенты
    1. В.Н. Матвеев, О.В. Кононенко, Г.Н. Панин, Д.В. Рощупкин, "Способ получения пленки графена на подложке", 2017г.