Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  

 СТАТУС | СОСТАВ | ПОВЕСТКА | ЗАЩИТА ДИССЕРТАЦИИ 

ДИССЕРТАЦИОННАЯ РАБОТА





слово,
как прописано:
обновлено 5 июля 2023 г.
Иванова Владимира Викторовича
" Исследование эффектов оптической близости и разработка методов их коррекции для критических литографических слоев технологии производства сбис проектных норм 65 нм"
представленная на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук по специальности 2.2.2 - "Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств.

предварительное рассмотрение 21.04.23г.
принятие к защите: 26.04.2023     протокол о принятии к защите
защита диссертации: 27.06.2023
Загрузить диссертацию (pdf 8.8Mb)
дата загрузки диссертации: 16.03.2023

Научный руководитель: д-р техн. наук Горнев Евгений Сергеевич Отзыв

Научный консультант: канд. техн. наук Балан Никита Николаевич Отзыв

Официальные оппоненты:

Петросянц Константин Орестович, доктор технических наук, профессор, ординарный профессор Московского института электроники и математики им. А.Н.Тихонова Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики".

Овчинников Вячеслав Алеексеевич, кандидат технических наук, главный специалист Акционерного общества «Зеленоградский инновационно-технологический центр».

Ведущая организация: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет)»

Отзывы на автореферат:  1 ,

Диссертационный совет 24.1.106.01 при ИПТМ РАН
адрес:142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Академика Осипьяна 6