Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
ОБ ИНСТИТУТЕ
СТРУКТУРА
ИПТМ: ДОКУМЕНТЫ
НАШИ КООРДИНАТЫ
ПЛАНЫ
НАПРАВЛЕНИЯ
УЧЕНЫЙ СОВЕТ
УЧАСТИЕ В ФЦП
ДИССЕРТАЦИОННЫЙ СОВЕТ
КОНКУРСЫ/ВАКАНСИИ
ТОРГИ
АСПИРАНТУРА
ШКОЛЫ И КОНФЕРЕНЦИИ
СЕМИНАРЫ
НОВОСТИ
ВНЕШНИЕ КОНКУРСЫ
СОУТ
ПРОТИВОДЕЙСТВИЕ КОРРУПЦИИ
АНТИМОНОПОЛЬНОЕ
СТРУКТУРА
|
ДИРЕКЦИЯ
|
ЛАБОРАТОРИИ
|
АСИЦ
ЛАБОРАТОРИЯ РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ
ПУБЛИКАЦИИ
ENGLISH VERSION
любое
каждое
слово,
как прописано:
лаборатория N9
Основная
Персонал
Статьи
В.Н. Мордкович, К.К. Абгарян, Д.Л. Ревизников, А.В. Леонов,
"Моделирование полевых элементов Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе"
, Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, V, N2, c.12, 2020г.
© ИПТМ РАН, 1996-2025