Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  

 СПИСОК | НОВОСТИ 

СОГЛАШЕНИЕ О ПРЕДОСТАВЛЕНИИ СУБСИДИИ С МИНИСТЕРСТВОМ ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ



слово,
как прописано:
от 20 октября 2014 г. N 14.607.21.0072, по теме
«Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь) для создания нового поколения приборов и устройств для микро- и наноэлектроники.»
Научный руководитель: Вяткин Анатолий Федорович
«В ходе выполнения проекта по Соглашению о предоставлении субсидии от 20 октября 2014 г. N 14.607.21.0072 с Минобрнауки России в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы. на этапе N 2 в период с 01 января 2015 г по 30 июня 2014 г. были выполнены следующие работы:
  1. Проведена сборка лабораторного стенда для получения планаризованных полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь).
  2. осуществлен монтаж узла 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком в лабораторный стенд для получения планаризованных полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь) пучками ускоренных кластерных ионов.
  3. проведены расчеты базовых параметров систем, обеспечивающих рабочие режимы стенда для получения планаризованных материалов.
  4. Отработана методика исследования шероховатости поверхности материалов наноэлектроники (кремний, медь).

Были выполнены работы по плану-графику работ исполнения обязательств, выполняемых за счет софинансирования из внебюджетных источников:
  1. Проведены исследования предельных возможностей химико-механической полировки для планаризации поверхности полупроводниковых и металлических материалов.
  2. Проведение предварительных исследований по планаризации поверхности материалов наноэлектроники (кремний, медь).

При этом были получены следующие результаты:
  1. В результате проведенных работ был создан рабочий лабораторный стенд, пригодный для осуществления дальнейших работ по проекту.
  2. Были установлены зависимости размера кластера в потоке, расходимости кластерного пучка и дозы облучения, необходимой для планаризации материала от базовых параметров, задаваемых оператором стенда (давление в камере, ускоряющее напряжение и т.п.). Полученные параметры являются отправной точкой при проведении работ по исследованию характеристик разработанного стенда.
  3. Результаты, полученные в ходе отработки методик исследования шероховатости поверхности материалов наноэлектроники (кремний, медь) лягут в основу технической документации, разрабатываемой на последующих этапах, и послужат заделом при исследовании свойств планаризированных образцов. основными методами исследования в данном случае будут методы рентгеновской рефлектометрии и атомно-силовой микроскопии.

В работе использовались методы:
  • компьютерного моделирования для теоретического исследования взаимодействия кластерного ионного пучка с поверхностью твердых тел;
  • атомно-силовой микроскопии и рентгеновской рефлектометрии для исследования шероховатости поверхности.

Ряд результатов работы характеризуются элементами новизны научных и технологических решений. Полученные результаты соответствуют требованиям, сформулированным в техническом задании и находятся на уровне аналогичных работ, определяющих мировой уровень.
Результаты работы могут быть использованы в микроэлектронной промышленности как на стадии подготовки подложек, так и для выравнивания промежуточных слоем микросхемы.
Экономическая значимость работы состоит в увеличении выхода годных приборов при применении разрабатываемой технологии.
Дальнейшее развитие объекта исследования заключается в переходе исследований на стадию ОКР/ОТР.

Комиссия Минобрнауки России признала обязательства по Соглашению на отчетном этапе исполненными надлежащим образом.