от 20 октября 2014 г. N 14.607.21.0072, по теме
«Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь) для создания нового поколения приборов и устройств для микро- и наноэлектроники.»
Научный руководитель: Вяткин Анатолий Федорович
«В ходе выполнения проекта по Соглашению о предоставлении субсидии от 20 октября 2014 г. N 14.607.21.0072 с
Минобрнауки России в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным
направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы. на этапе N 2 в период с 01
января 2015 г по 30 июня 2014 г. были выполнены следующие работы:
- Проведена сборка лабораторного стенда для получения планаризованных полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь).
- осуществлен монтаж узла 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком в лабораторный стенд для получения планаризованных полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь) пучками ускоренных кластерных ионов.
- проведены расчеты базовых параметров систем, обеспечивающих рабочие режимы стенда для получения планаризованных материалов.
- Отработана методика исследования шероховатости поверхности материалов наноэлектроники (кремний, медь).
Были выполнены работы по плану-графику работ исполнения обязательств, выполняемых за счет софинансирования из внебюджетных источников:
- Проведены исследования предельных возможностей химико-механической полировки для планаризации поверхности полупроводниковых и металлических материалов.
- Проведение предварительных исследований по планаризации поверхности материалов наноэлектроники (кремний, медь).
При этом были получены следующие результаты:
- В результате проведенных работ был создан рабочий лабораторный стенд, пригодный для осуществления дальнейших работ по проекту.
- Были установлены зависимости размера кластера в потоке, расходимости кластерного пучка и дозы облучения, необходимой для планаризации материала от базовых параметров, задаваемых оператором стенда (давление в камере, ускоряющее напряжение и т.п.). Полученные параметры являются отправной точкой при проведении работ по исследованию характеристик разработанного стенда.
- Результаты, полученные в ходе отработки методик исследования шероховатости поверхности материалов наноэлектроники (кремний, медь) лягут в основу технической документации, разрабатываемой на последующих этапах, и послужат заделом при исследовании свойств планаризированных образцов. основными методами исследования в данном случае будут методы рентгеновской рефлектометрии и атомно-силовой микроскопии.
В работе использовались методы:
- компьютерного моделирования для теоретического исследования взаимодействия кластерного ионного пучка с поверхностью твердых тел;
- атомно-силовой микроскопии и рентгеновской рефлектометрии для исследования шероховатости поверхности.
Ряд результатов работы характеризуются элементами новизны научных и технологических решений. Полученные результаты соответствуют требованиям, сформулированным в техническом задании и находятся на уровне аналогичных работ, определяющих мировой уровень.
Результаты работы могут быть использованы в микроэлектронной промышленности как на стадии подготовки подложек, так и для выравнивания промежуточных слоем микросхемы.
Экономическая значимость работы состоит в увеличении выхода годных приборов при применении разрабатываемой технологии.
Дальнейшее развитие объекта исследования заключается в переходе исследований на стадию ОКР/ОТР.
Комиссия Минобрнауки России признала обязательства по Соглашению на отчетном этапе исполненными надлежащим образом.