Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  

 СПИСОК | НОВОСТИ 

СОГЛАШЕНИЕ О ПРЕДОСТАВЛЕНИИ СУБСИДИИ С МИНИСТЕРСТВОМ ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ



слово,
как прописано:
от 20 октября 2014 г. N 14.607.21.0072, по теме
«Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь) для создания нового поколения приборов и устройств для микро- и наноэлектроники.»
Научный руководитель: Вяткин Анатолий Федорович
«В ходе выполнения проекта по Соглашению о предоставлении субсидии от 20 октября 2014 г. N 14.607.21.0072 с Минобрнауки России в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы. на этапе N 1 в период с 20 октября 2014 г по 31 декабря 2014 г. были выполнены следующие работы:
  1. Проведен аналитический обзор современной научно-технической, нормативной, методической литературы, затрагивающей научно-техническую проблему, исследуемую в рамках ПНИ.
  2. Проведены патентные исследования по тематике проекта в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.
  3. Осуществлен выбор направления исследований, в том числе:
    • разработка возможных направлений проведения исследований;
    • разработка возможных решений отдельных исследовательских задач;
    • сравнительная оценка эффективности возможных направлений исследований;
    • обоснование выбора оптимального варианта направления исследований.
  4. Разработаны и обоснованы цели компьютерного моделирования процессов взаимодействия ионных кластеров с поверхностью твердых тел, разработка физической и математической моделей.
  5. Разработана и отлажена компьютерная программа, моделирование процессов и анализ результатов моделирования процессов взаимодействия кластеров с поверхностью твердых тел.
  6. Проведен расчет процесса генерации ударных волн при взаимодействии ускоренного кластерного иона с поверхностью мишени.
  7. Разработан вариант конструкции узла 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком для лабораторного стенда для получения планаризованных материалов для наноэлектроники (кремний, медь).
  8. Разработана эскизная конструкторская документация лабораторного стенда для планаризации поверхности в том числе и узла 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком.
  9. Изготовлен узел 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком для лабораторного стенда для получения планаризованных материалов для наноэлектроники (кремний, медь).
  10. Проведены экспериментальные исследования распределения кластеров по размеру.
  11. Проведены экспериментальные исследования процесса планаризации поверхности ускоренными кластерными ионами и сравнение с теоретическими результатами.
Были выполнены работы по плану-графику работ исполнения обязательств, выполняемых за счет софинансирования из внебюджетных источников:
  1. Проведены исследования технологических процессов и режимов планаризации материалов для наноэлектроники (кремний, медь) с использованием лабораторного стенда для получения планаризованных материалов.
  2. Осуществлена закупка комплектующих и расходных материалов для проведения исследований по отработке технологических процессов и режимов планаризации материалов для наноэлектроники (кремний, медь).
При этом были получены следующие результаты:
  1. Аналитический обзор современной научно-технической, нормативной, методической литературы, затрагивающей научно-техническую проблему, исследуемую в рамках ПНИ.
  2. Отчет о патентных исследованиях по тематике проекта в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.
  3. Компьютерная программа, моделирование процессов и анализ результатов моделирования процессов взаимодействия кластеров с поверхностью твердых тел.
  4. Результаты расчета процесса генерации ударных волн при взаимодействии ускоренного кластерного иона с поверхностью мишени. Впервые было проведено моделирование процесса взаимодействия кластерного пучка с поверхностью твердых тел для широкого спектра материалов, применяемых в микроэлектронике
  5. Эскизная конструкторская документация лабораторного стенда для планаризации поверхности в том числе и узла 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком. Конструктивной особенностью данного стенда является наличие узла, позволяющего осуществлять перемещение обрабатываемой подложки непосредственно в процессе облучения ее кластерным пучком. Это позволит добиться более высокой степени планаризации поверхности.
  6. Узел 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком для лабораторного стенда для получения планаризованных материалов для наноэлектроники (кремний, медь).
  7. Результаты экспериментального исследования распределения кластеров по размеру.
  8. Результаты экспериментального исследования процесса планаризации поверхности ускоренными кластерными ионами и сравнение с теоретическими результатами.
В работе использовались методы:
  • компьютерного моделирования для теоретического исследования взаимодействия кластерного ионного пучка с поверхностью твердых тел;
  • атомно-силовой микроскопии и рентгеновской рефлектометрии для исследования шероховатости поверхности.
Ряд результатов работы характеризуются элементами новизны научных и технологических решений. Полученные результаты соответствуют требованиям, сформулированным в техническом задании и находятся на уровне аналогичных работ, определяющих мировой уровень.

Результаты работы могут быть использованы в микроэлектронной промышленности как на стадии подготовки подложек, так и для выравнивания промежуточных слоем микросхемы.

Экономическая значимость работы состоит в увеличении выхода годных приборов при применении разрабатываемой технологии.

Дальнейшее развитие объекта исследования заключается в переходе исследований на стадию ОКР/ОТР.

Комиссия Минобрнауки России признала обязательства по Соглашению на отчетном этапе исполненными надлежащим образом.