|
от 20 октября 2014 г. N 14.607.21.0072, по теме
«Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь) для создания нового поколения приборов и устройств для микро- и наноэлектроники.»
Научный руководитель: Вяткин Анатолий Федорович
«В ходе выполнения проекта по Соглашению о предоставлении субсидии от 20 октября 2014 г. N 14.607.21.0072 с
Минобрнауки России в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным
направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы. на этапе N 1 в период с 20
октября 2014 г по 31 декабря 2014 г. были выполнены следующие работы:
- Проведен аналитический обзор современной научно-технической, нормативной, методической литературы,
затрагивающей научно-техническую проблему, исследуемую в рамках ПНИ.
- Проведены патентные исследования по тематике проекта в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.
- Осуществлен выбор направления исследований, в том числе:
- разработка возможных направлений проведения исследований;
- разработка возможных решений отдельных исследовательских задач;
- сравнительная оценка эффективности возможных направлений исследований;
- обоснование выбора оптимального варианта направления исследований.
- Разработаны и обоснованы цели компьютерного моделирования процессов взаимодействия ионных кластеров с поверхностью
твердых тел, разработка физической и математической моделей.
- Разработана и отлажена компьютерная программа, моделирование процессов и анализ результатов моделирования процессов
взаимодействия кластеров с поверхностью твердых тел.
- Проведен расчет процесса генерации ударных волн при взаимодействии ускоренного кластерного иона с поверхностью мишени.
- Разработан вариант конструкции узла 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком для лабораторного стенда для
получения планаризованных материалов для наноэлектроники (кремний, медь).
- Разработана эскизная конструкторская документация лабораторного стенда для планаризации поверхности в том числе и
узла 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком.
- Изготовлен узел 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком для лабораторного стенда для получения
планаризованных материалов для наноэлектроники (кремний, медь).
- Проведены экспериментальные исследования распределения кластеров по размеру.
- Проведены экспериментальные исследования процесса планаризации поверхности ускоренными кластерными ионами и
сравнение с теоретическими результатами.
Были выполнены работы по плану-графику работ исполнения обязательств, выполняемых за счет софинансирования из внебюджетных источников:
- Проведены исследования технологических процессов и режимов планаризации материалов для наноэлектроники (кремний, медь) с использованием лабораторного стенда для получения планаризованных материалов.
- Осуществлена закупка комплектующих и расходных материалов для проведения исследований по отработке технологических процессов и режимов планаризации материалов для наноэлектроники (кремний, медь).
При этом были получены следующие результаты:
- Аналитический обзор современной научно-технической, нормативной, методической литературы, затрагивающей
научно-техническую проблему, исследуемую в рамках ПНИ.
- Отчет о патентных исследованиях по тематике проекта в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.
- Компьютерная программа, моделирование процессов и анализ результатов моделирования процессов взаимодействия
кластеров с поверхностью твердых тел.
- Результаты расчета процесса генерации ударных волн при взаимодействии ускоренного кластерного иона с поверхностью мишени. Впервые было проведено моделирование процесса взаимодействия кластерного пучка с поверхностью твердых тел для широкого спектра материалов, применяемых в микроэлектронике
- Эскизная конструкторская документация лабораторного стенда для планаризации поверхности в том числе и узла 3-х
мерного сканирования образцов кластерным пучком. Конструктивной особенностью данного стенда является наличие узла,
позволяющего осуществлять перемещение обрабатываемой подложки непосредственно в процессе облучения ее кластерным
пучком. Это позволит добиться более высокой степени планаризации поверхности.
- Узел 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком для лабораторного стенда для получения планаризованных
материалов для наноэлектроники (кремний, медь).
- Результаты экспериментального исследования распределения кластеров по размеру.
- Результаты экспериментального исследования процесса планаризации поверхности ускоренными кластерными ионами и сравнение с теоретическими результатами.
В работе использовались методы:
- компьютерного моделирования для теоретического исследования взаимодействия кластерного ионного пучка с поверхностью твердых тел;
- атомно-силовой микроскопии и рентгеновской рефлектометрии для исследования шероховатости поверхности.
Ряд результатов работы характеризуются элементами новизны научных и технологических решений. Полученные результаты
соответствуют требованиям, сформулированным в техническом задании и находятся на уровне аналогичных работ, определяющих
мировой уровень.
Результаты работы могут быть использованы в микроэлектронной промышленности как на стадии подготовки подложек, так и для
выравнивания промежуточных слоем микросхемы.
Экономическая значимость работы состоит в увеличении выхода годных приборов при применении разрабатываемой технологии.
Дальнейшее развитие объекта исследования заключается в переходе исследований на стадию ОКР/ОТР.
Комиссия Минобрнауки России признала обязательства по Соглашению на отчетном этапе исполненными надлежащим образом.
|
