Согласно Приказу Минобрнауки (№444 от 24.04.2023 г.) с 29 мая по 23 июня 2023 года установлен срок предоставления материалов кандидатами на должность руководителей научных организаций, в том числе Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук.
29 мая 2023 года состоялось заседание Учёного совета, на котором было утверждено Положение о выборах директора Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) (2) и состоялось выдвижение кандидатов на должность директора ИПТМ РАН. Ученый совет ИПТМ РАН по результатам тайного голосования постановил выдвинуть кандидатами на должность директора ИПТМ РАН следующих сотрудников:
член-корреспондента РАН, доктора физико-математических наук Рощупкина Дмитрия Валентиновича;
доктора физико-математических наук Николайчика Владимира Ивановича;
кандидата физико-математических наук Иржака Дмитрия Вадимовича.
Кандидатуры были согласованы Российской академией наук (Постановление Президиума РАН № 193 от 03.10.2023 г.), затем утверждены Минобрнауки (Распоряжение № 390-р от 01.11.2023 г.).
На заседаниях Учёного совета (25.09.2023 г. и 07.11.2023 г.) утверждены состав Избирательной комиссии и дата выборов директора ИПТМ РАН 27 ноября 2023 года.
20 ноября 2023 г. состоялось общее собрание коллектива института, на котором кандидаты на должность директора – Иржак Д.В., Николайчик В.И., Рощупкин Д.В., изложили основные положения программы развития Института и ответили на вопросы работников Института.
27 ноября 2023 г. состоялись выборы директора ИПТМ РАН. Общее собрание, тайное голосование и подсчёт голосов проведены в соответствии с разделами III и IV Положения о выборах директора ИПТМ РАН. Тайное голосование проходило с 8:00 до 15:00 часов, после чего избирательной комиссией были подведены итоги голосования, которые были оглашены на общем собрании коллектива председателем избирательной комиссии В.И. Корепановым. Явка сотрудников составила 86%.
Решением общего собрания по результатам тайного голосования на должность директора Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук избран Дмитрий Валентинович Рощупкин.