Лаборатория теоретической физики
Развитие и исследование возможностей метода ионной литографии, включающем экспонирование резиста.
Преимуществами метода являются возможность достижения суб-10нм разрешения
при условии использования тяжелых ионов и/или низких энергий пучка, а также
высокая (на три порядка выше, чем в электронной литографии) энергетическая
эффективность.
Схема метода (для случая многократного экспонирования)
Размеры зоны модификации резиста для широкого диапазона масс ионов
Оценка загрязнения подложки ионами Ga
Определение контраста резиста