Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  

 СПИСОК | НОВОСТИ 

СОГЛАШЕНИЕ О ПРЕДОСТАВЛЕНИИ СУБСИДИИ С МИНИСТЕРСТВОМ ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ



слово,
как прописано:
от 20 октября 2014 г. N 14.607.21.0072, по теме
«Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь) для создания нового поколения приборов и устройств для микро- и наноэлектроники.»
Научный руководитель: Вяткин Анатолий Федорович
«В ходе выполнения проекта по Соглашению о предоставлении субсидии от 20 октября 2014 г. N 14.607.21.0072 с Минобрнауки России в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы. на этапе N 3 в период с 01 июля 2015 г по 31 декабря 2015 г. были выполнены следующие работы:
  1. Разработано программное обеспечение процессов взаимодействия кластерных пучков с поверхностью.
  2. Разработана программа и методики испытаний лабораторного стенда для получения планаризованных полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь).
  3. Проведены испытания лабораторного стенда для получения планаризованных полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь).
  4. Разработана программа и методики исследовательских испытаний экспериментальных образцов планаризованных материалов.

Были выполнены работы по плану-графику работ исполнения обязательств, выполняемых за счет софинансирования из внебюджетных источников:
  1. Изготовлены исходные образцы материалов наноэлектроники (кремний, медь) для проведения планаризации.
  2. Проведены испытания исходных образцов материалов наноэлектроники (кремний, медь) для проведения планаризации и исследования их поверхности.

При этом были получены следующие результаты:
  1. В результате проведенных работ было разработано программное обеспечение, которое будет способствовать уменьшению времени, необходимого для подбора параметров экспериментальной установки при планаризации экспериментальных образцов.
  2. Разработана Программа и методики испытаний лабораторного стенда для получения планаризованных материалов. Данная Программа была использована при проведении испытаний разработанного лабораторного стенда.
  3. Проведены испытания лабораторного стенда для получения планаризованных полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь). В ходе испытаний обнаружено, что стенд соответствует конструкторской документации, в соответствии с которой он был разработан, обеспечивает следующие параметры функционирования: обеспечивает формирование стабильного газового пучка, шаговые двигатели соответствуют требованиям работы в высоком вакууме, диапазон перемещения столика составляет 30 мм, точность позиционирования 0.1 мм, размеры образца, подвергаемого планаризации более 10х10 мм, энергии пучка кластерных ионов находятся в диапазоне 5-30 кэВ, площадь равномерного облучения составляет 50 мм^2.
  4. Разработана Программа и методики исследовательских испытаний экспериментальных образцов планаризованных материалов. Данная Программа была использована при проведении испытаний экспериментальных образцов для планаризации.

В работе использовались методы:
  • компьютерного моделирования для теоретического исследования взаимодействия кластерного ионного пучка с поверхностью твердых тел;
  • метод обратного резерфордовского рассеяния.

Ряд результатов работы характеризуются элементами новизны научных и технологических решений. Полученные результаты соответствуют требованиям, сформулированным в техническом задании и находятся на уровне аналогичных работ, определяющих мировой уровень.
Результаты работы могут быть использованы в микроэлектронной промышленности как на стадии подготовки подложек, так и для выравнивания промежуточных слоем микросхемы.
Экономическая значимость работы состоит в увеличении выхода годных приборов при применении разрабатываемой технологии.
Дальнейшее развитие объекта исследования заключается в переходе исследований на стадию ОКР/ОТР.

Комиссия Минобрнауки России признала обязательства по Соглашению на отчетном этапе исполненными надлежащим образом.