Установка предназначена для совмещения и экспонирования пластин при производстве микросхем. Также широко используется в производстве МЭМС и оптоэлектроники, микрофлюидных чипов. Установка литографии характеризуется субмикронным разрешением, в пределе достигающим 0,5–0,8 мкм, за счет использования оптики с функцией уменьшения дифракции, компенсирующей нежелательные эффекты при литографии с микрозазором или в контактном режиме. Система поддерживает режимы работы для наноимпринт-литографии в УФ диапазоне. Установка MJB4 оборудована системой совмещения сверху с ручным управлением.